模拟电子的技术总复习(高职院)武汉吴淑霞编.pptVIP

1、二极管伏安特性 2、半导体三极管 （1）三极管基本结构 （2） 三极管的放大原理 三极管放大的外部条件： 4、共集电极放大电路（1）微变等效电路.（2）Av、 Ri 和Ro的表达式并计算. （3）图解法确定静态工作点ICQ，UCEQ ；确定放大电路最大不失真输出电压的有效值Uom 。 （共发射极放大电路） 7、差动放大电路 8、集成运算放大器： 高增益的直接耦合的集成的多级放大器。 稳幅措施： R4是正温度系数热敏 电阻，若热敏电阻是负温 度系数，应放置在R3（Rf） 的位置。 由迟滞比较电路和RC定时电路构成。 17、方波信号发生器 改变电位器 RW 的滑动端，改变了冲放电的时间，从而使方波的占空比可调。 18、三角波发生器 电路结构：迟滞比较器+反相积分器 锯齿波发生器： 改变积分器的正反向充电时间常数 19、全波整流电路 + – + – 原理：变压器副边中心抽头，感应出两个相等的电压U2。 + – + – 当u2正半周时， D1导通，D2截止。 当u2负半周时， D2导通，D1截止。 * 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 特点：非线性。单向导电性。 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V P N – + 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 正向