摩尔时代微电子技术发展探讨.pdfVIP

后摩尔时代微电子技术发展探讨 提纲 一、引言：晶体管的发明引发电子工业的革命 二、硅微电子技术发展现状与趋势 三、硅微电子技术受到的挑战和对策 ３.1、后摩尔时代硅基技术发展可能采取的措施 ３.2、纳米电子器件和电路研究简介 ３.3、量子信息技术相关研究取得进展 ３.4、发展纳米电子学要解决的关键问题 一、引言：晶体管的发明引发的产业革命 ♣ 1947年的12月23日，Bell实验室的巴丁和布尔吞 发明了点接触锗晶体管，拉开了电子工业大革命的 序幕。 ♣ 1948年1月23日，在点电接触晶体管发明一个月 后，Bell实验室的肖克莱提出了结型晶体管结构和 ＰＮ结理论，为晶体管的实际应用打下了基础。 ♣ 晶体管的发明在当时的电子产业界反应冷淡，但 科学界还是给予了充分地肯定，1956年巴丁、布尔 吞和肖克莱三人被授予诺贝尔物理奖。 ♣晶体管的发明、硅材料和集成电路的研制成功，彻 底地改变了人类的生活方式和社会文明。今天几乎90％ 以上的电子器件和电路都是以硅为基础的；2005年世界 集成电路的产值大约为2000亿美元。由它而拉动产值达 １万亿的电子产品。 世界半导体产品销售额 350 300 250 n o 200 i l l i b $ 150 301.7 262.5 224.000 233.6 100 205.1202.1 165.4 144.404 149.500 145.000 137.203 139.000 131.966 125.612 50 101.879 77.310 59.865 54.607 0 91 92 93 94 95 96 97 98 99 00 01 02 03 04 05 06 07 08 Year 二、硅微电子技术发展现状与趋势 2.1 硅材料作为现代微电子技术的基础，预 计到本世纪中叶都不会改变。 ♣ 硅单晶常采用垂直布里奇曼法（CZ）拉制， 目前用此方法拉制的最大硅直径为18英寸。为 保证晶体的质量，常在拉晶的过程中需自动加 料，或加磁场来改善晶体中掺杂杂质分布的均 匀性。 ♣ 硅单晶的年产量已超过10000吨，8-12英寸 的硅单晶已工业生产；18英寸的硅单晶已研制 成功；27英寸硅单晶生长也在筹划中。 2.2 直拉硅单晶存在问题 ♣ CZ-Si 中高浓度间隙态过饱和氧存 在和随着硅锭直径增大，长度加长,微缺 陷密度增高及其掺杂剂的径向、纵向微 区不均匀分布，难以满足集成电路，特 别是当IC的特征线宽小于100纳米时，对 硅单晶材料的要求。 2.3 硅外延材料和SOI材料 ♣ 硅外延材料可有效地控制氧、碳等杂质 沾污，提高其纯度、完整性和掺杂均匀性; 可用于IC 线宽小于100nm ULSI和电力电子 等大功率器件与电路制造。 ♣ 目前，8－12英寸