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《电工及工业电子学》 半导体二极管和三极管是最常用的半导体器件。它们的基本结构、工作原理、特性和参数是学习电子技术和分析电子线路必不可少的基础，而PN结又是构成各种半导体器件的共同基础。因此，本章从讨论半导体的导电特性和PN结的基本原理（特别是它的单向导电性）开始，然后介绍二极管和三极管，为以后的学习打下基础。 15-1、半导体的导电特性 一、什么叫半导体（Semiconductors） 三、本征半导体 三、本征半导体 所有物质根据原子的排列形式可分为晶体和非晶体。 四、N型半导体（电子半导体） （Negative负的字头 ） 五、P型半导体（Positive 正) §15-2 PN结 一、PN结的形成 二、PN结的单向导电特性 1、加正向偏置（导通）P+，N-，扩散大于漂移 2、加反向偏置（截止）P-，N+，漂移大于扩散 反向饱和电流基本不变 三、PN结的击穿 1、齐纳击穿：（击穿电压低）4伏以下。 浓度高时，PN结窄，在同样电压下，反向电场很强，从而破坏共价键的结构，把电子拉出来。 2、雪崩击穿：（击穿电压高）6伏以上。 浓度低时，：PN结宽，电子在PN结中被加速，当遇到价电子时，就可以把其撞出来。 4伏~6伏，两种情况都可能 电击穿 §15-3 半导体二极管 一、基本结构和符号 三、主要参数 1、最大整流电流IOM 最大正向平均电流。 2、反向工作峰值电压URWM 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。一般是U（BR）的一半或三分之二。 3、反向峰值电流IRM 二极管反向峰值电压时反向电流值。 四、主要应用 1、整流 2、限幅 3、箝位 4、检波 二极管电路的分析方法如下 ①设二极管支路为开路即断开二极管 ②求二极管两端的电压U，如U大于死区电压则二极管导通，且U=死区电压。如U小于死区电压则二极管截止，与二极管串联支路上无电流。 例：P13，例15-1，15-2自已看（自学） 例题 § 15-4. 稳压管 稳压管是一种特殊的面接触型二极管。它在电路中常用作稳定电压的作用，故称为稳压管。 一、稳压管的使用 稳压管工作于反向击穿区，常见电路如下。 二、稳压管的主要参数 § 15-5. 半导体三极管 二.电流分配和放大原理 二. 电流分配和放大原理 电流放大作用原理 三. 特性曲线 晶体管的特性曲线是表示一只晶体管各电极电压与电流之间关系的曲线。是应用晶体管和分析放大电路的重要依据。 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是在IB为常数时，IC与UCE之间的关系曲线。在不同的下，可得到不同的曲线，即晶体管的输出特性曲线是一组曲线(见下图)。 (3) 饱和区 四. 主要参数 说明： 2. 集-基极反向截止电流 ICBO 4. 集电极最大允许电流 ICM 1、发射区向基区扩散电子 —— 内部载流子运动规律 发射结处于正向偏置，掺杂浓度较高的发射区向基区进行多子扩散。 放大作用的内部条件： 基区很薄且掺杂浓度很低。 2、电子在基区的扩散和复合 基区厚度很小，电子在基区继续向集电结扩散。（但有少部分与空穴复合而形成IBE ? IB）。 （非平衡少数载流子的扩散） 3、集电区收集扩散电子 集电结为反向偏置使内电场增强，对从基区扩散进入集电结的电子具有加速作用而把电子收集到集电区，形成集电极电流(ICE ? IC)。 由电流分配关系示意图可知发射区向基区注入的电子电流IE将分成两部分ICE和IBE，它们的比值为 它表示晶体管的电流放大能力，称为电流放大系数。 在晶体管中，不仅IC比IB大很多；当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。 根据晶体管放大的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。则 对于NPN型晶体管 且 对于PNP型晶体管 且 4、集电极反向电流ICBO（平衡少子产生） 结论：IE=ICE+IBE IC=ICE+ICBO IB=IBE-ICBO β=ICE/IBE =(IC-ICBO)/(IB+ICBO) =IC/IB 双极型晶体管——因为两种载流子参加导电。 例：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V （2）U1=3V、U2=2.8V、U3=12V （3）U1=6V、U2=11.3V、U3=12V （4）U1=6V、U2=11.8V、U3=12V 试判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 解： （1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅