电子的技术场效应管.pptVIP

本章要求： 场效应管的特点 1.它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 2.它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点， 3.还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。 4.在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 结型场效应管的结构如图所示。 在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+ 区,就形成两个不对称的P+N结，即耗尽层。把两个P+区并联在一起，引出一个电极g，称为栅极，在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。 1. P 沟道和N沟道结构及电路符号 2.工作等效（以P沟道为例） (3)截止工作 3.JFET的主要参数 1）夹断电压VP:手册给出是ID为一微小值时的VGS 2）饱和漏极电流IDSS; VGS=0，时的ID 4. 特性曲线： 与三极管相同，场效应管也有输入和输出的特性曲线。称为转移特性曲线和输出特性曲线。以N型JFET为例： ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 ? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 4.3、绝缘栅型场效应晶体管IGFET（MOS） * * 电子技术基础 第3章 第3章 场效应管及其放大电路 3.1 绝缘栅型场效应管 3.2 场效应管放大电路 场效应管（Field Effect Transistor) 3. 掌握场效应管的伏安特性及主要参数； 1. 了解场效应管的结构与类型； 2. 理解场效应管的工作原理； 4. 掌握场效应管放大电路的分析。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 3.1 场效应晶体管(FET） 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 # 符号中的箭头方向表示什么？ 3.1.1 结型场效应晶体管JFET 夹在两个P+N结中间的区域称为导电沟道（简称沟道）。 图所示的管子的N区是电流的通道，称为N沟道结型场效应管。 场效应管的三个电极与三极管的三个电极的对应关系 栅极g--基极b 源极s--发射极e 漏极d--集电极c P 沟 道 G门极 D漏极 S源极 g d s P沟道结构及电路符号 N 沟 道 G门极 D漏极 S源极 g d s N沟道结构及电路符号 Ugs Is Id (1）PN结不加反向电压（Ugs)或加的电压不足以使沟道闭合时。沟道导通，电阻很小，并且阻值随沟道的截面积减少而增大。称可变电阻区 ； ID=UDs / RDs RDS P N N G ID IS=ID PN 结 PN 结 + + - UGS增大耗尽层加厚。 UGS=0：ID=IDSS 电路图 等效图 (2)恒流工作（电压控制电流源） G ID + RD VDD D S PN结加反向电压（Ugs) 使沟道微闭合时电流ID与UDS无关， 称恒流区。 ID=IDSS（1 - ）2 ugs vP P N N G ID IS=ID PN 结 PN 结 + + - 耗尽层闭合时 UGS=VP RD VDD UGS 电路图 等效图 P N N G ID=0 IS=ID PN 结 PN 结 + + - RD VDD UGS 耗尽层完全闭合，沟道夹断，电子过不去 栅极电压UGS大于等 夹断电压UP时，ID=0 相当一个很大的电阻 uds id vgs=常数 vgs id Uds=常数 ?uGS ? id 5)极限参数： V（BR）DS、漏极的附近发生雪崩击穿。 V（BR）GS、栅源间的最高反向击穿。 PDM 最大漏极允许功耗 ，与三极管类似。 3)、 电压控制电流系数gm= 4）交流输出电阻 rds= 0 ugs (v) -4 -3 -2 -1 id mA 5 4 3 2 1 VP IDSS N型JFET的转移曲线 可变电阻区 截止区IB≤0 UDS=UGS-VP N型JFET的输出特性曲线 （V） UDS -4V -2.0V -1V UGS=0V ma ID 放 大 区 0 击 穿 区 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此