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第十二章-静电场中的导体与介质(白底)
电子教案
静电场中的导体和电介质
本章教学要求:
了解导体的静电平衡条件。了解介质的极化
现象及其微观解释。了解各向同性介质中D和E
之间的关系和区别。了解介质中的高斯定理,
了解电容,了解电能密度的概念。
本章重点:
导体的静电平衡条件,导体表面附近的场强,各向同
性介质中D和E之间的关系和区别。
本章难点:
介质的极化,介质中D和E之间的关系推导。
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第十二章 静电场中的导体和电介质
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第十二章 静电场中的导体和电介质
导体中的自由电荷在外场的作用下可自由运动.
图 静电场中的导体
a.把一个不带电的导体放在均匀的外电场 中。
b.静电感应:导体的两端带上正、负电荷。
静电平衡:导体内部的总的场强为零
c.静电平衡后,空间的场强与电势分布
静电平衡状态:导体上的电荷和整个空间的电场都达
到稳定的分布。
静电平衡条件:
(2)导体是一个等势体。
(1)导体内部场强处处为零。
图a 导体内无净电荷
体的表面上,且导体上的电荷
总是保持不变。
(导体中场强为零,净电荷密度为零,
导体为等势体。)
思考:空腔內表面是否
可带等量异号电荷?
答案:空腔內表面
也处处没有电荷!
纵剖面
1)空腔内表面没有净
电荷,电荷Q只分
布在外部表面。
2)空腔内部场强E=0,
为一等势体。
2导体空腔
A)腔内无带电体
Q
Q
纵剖面
证明:作高斯面S
S
在此基础上导体外壳接地,外表面无电荷.
图12-4 导体表面电荷密度
与表面曲率半径有关
对于孤立的带电体,导体表面的电荷分布规律为:
导体是一个等势体,导体面是一个等势面。导体表面附近的场强方向与面法线一致。
紧贴导体表面作一圆柱
形高斯面。
1、空心导体的空腔内不受外界电场的影响
(b)
(c)
3、静电屏蔽的应用
四)静电屏蔽
静电是很普遍的现象,20世纪的
今天,电子仪器也是很普遍的。
防上静电干扰的思路:
1)“躲藏起来”
2)大家自觉防上静
电场外泄
实验:
解释:
+
实际中大量应用:
1)测试用的屏蔽室
2)无线电电路中的屏蔽罩、屏蔽线、高压
带电作业中的均压服。
3)变压器中的屏蔽层。
(1)据静电平衡条件和高斯定理有:
(2)由高斯定理,可算得:
所以
(3)用导线把内球与球壳相连,则内球与球壳连成一
导体整体。静电平衡时,电荷只分布于导体表面,故内
球表面和球壳内表面都不带电, 电荷均匀分布与球
壳外表面,导体内场强为零,整个导体是一等势体,即
(2)由高斯定理得:
由于球壳接地有 ,根据电势的定义,
则O点的电势为:
另一方面,设球壳A外表面电量为 ,由电势叠加原理
p
R
O
A
+q
p
例:两块可视为无限大的导体平板A、B,平行放置,间距为d,板面为S。分别带电QA、QB。且均为正值。求两板各表面上的电荷面密度及两板间的电势差。
作高斯面S’
导体内场强为零,为场中
所有电荷共同叠加的结果。
解以上四式得
电势差:
故:
若QA=-QB0
这时电场只集中在两板
之间。
例3)一无限大带等量异性电荷平行金属板, 相
距为d,电荷密度度为,若在其中插入一厚d/3的
平行金属板,板间电压变化多少?
解:未插入前电压
插入金属板后:
由高斯定理:
引:电容器是一储能元件。
纸质电容器
陶瓷电容器
电解电容器
钽电容器
可变电容器
如图,孤立球体的电势为
(与q无关)
实验表明:对于孤立导体有
定义:
单位:法拉F
物理含义:导体升高单位电势所加电量。
单位:
辅助单位:
例:求一半径为R的金属导体球的电容。
若C=1法拉,则R=9109mR地球
可见:电容是由导
体本身决定的,
与带电的多少及
是否带电无关。
对于非孤立导体
电容器:带等量异号电荷的导体系统
平行板电容器(忽略边缘效应
即S很大,d很小).
d
2. 圆柱形电容器
A
B
A
B
3. 球形电容器
设A带电 q ,则
电容器的计算过程如下:
(1)设正极带电 q ,写出两极间的电场强度表达式
(一般由高斯定理求出)。
三、电容器的串联和并联
串联电容器的电容:
电容器的串联和并联
并联电容器的电容:
并联电容器的电容等于
各个电容器电容的和。
串联电容器总电容的倒数
等于各串联电容倒数之和。
当电容器的耐压能力不被满足时,常用串并联
使用来改善。如串联使用可用在稍高的电压中,
从而提高耐压能力。并联使用可以提高容量。
电介质的绝缘性能遭到破坏,称为击穿(bre
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