次亚微米CMOS工艺下的ESD防护技术的研究（可编辑）.doc

次亚微米CMOS工艺下的ESD防护技术的研究 作者简介 张冰,安徽安庆人。年毕业于西安理工大学、获学士学位。 至今就读于西安电子科技大学微电子学院,攻读博士学位。导 师:杨银堂教授。. 主要研究方向:可靠性、毁伤性及防护电路设计研究。 代表性成果及经历:己在《物理学报》、《半导体学报》、《电路 与系统学报》、》、《》、.等权威、核心刊 物和国际重要学术会议发表学术论文 篇。工艺芯片输入 端保护单元》获国家知识产权局集成电路版图布图专利。... , , , ’’,, , .. . ’,. . , .西安电子科技大学 学位论文独创性或创新性声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德,本人声明所呈交的论文是我个人在导师指 导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所 罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得 西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志 对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切的法律责任。 日 期: 本人签名:丝翻垒 :: 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校 攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的 复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影 印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证,毕业后结合学位论文研究课题再攥 写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。 保密的论文在解密后遵守此规定 本学位论文属于保密,在一年解密后适用本授权书。 本人签名:主蟹 导师签名: 日期:五虬上王摘要 摘 要 随着硅基工艺技术的不断进步,器件的特征尺寸已缩减至纳米阶段,目的 是提高芯片的集成度、性能和运算速度,并降低单位芯片的制造成本。但由于新工艺技 术的应用及电路性能的提高,使静电放电 ,防护设计的设计难 度加大,使得近几年防护技术的发展变缓。目前相关方面的研究是以防 护的器件级建模为主,这种研究方法忽视了防护结构面积及寄生效应对实际生产的影 响,使得理论成果对于芯片生产指导有限。因此国内主流代工厂生产出的芯片其 防护部分仍然以传统的二极管和结构为主,而较小规模的芯片设计厂商不仅其产 品的防护设计水平更低,其自身制造水平也以次亚微米工艺为主。 . 本论文采用华润上华. 工艺与香港应用科学与 技术研究院的相关测试设备作为研究平台,以工艺一器件一电路一版图一 全芯片作为研究主线,对次亚微米工艺条件下防护器件的可靠性问题进行 了系统研究。文中对现有防护技术进行了全面的对比归纳,提出了多种全新的电 路结构与版图布局方案。本论文的研究成果为次亚微米工艺条件下防护技 术的研究提供了理论依据。 本文的主要研究内容概括如下: .工艺与器件级防护技术研究:通过对防护器件在大电流条件下电、热 特性的分析,得到了可用于定义仿真边界条件的器件失效量化表征量;利用器件的热平 衡机理建立了防护器件的解析模型;通过对.中物理模型的对比研究, ? 获得了可用于. 工艺条件下的事件仿真优化 物理模型;最后利用仿真与流片测试相结合的方法,对次亚微米工艺条件下源漏注入工 艺、阱工艺、外延层与衬底工艺、栅氧工艺、工艺引起的防护器件失效机 理进行系统研究,并根据研究结论提出了改善各工艺条件下防护器件性能的方案。 .电路与版图级防护技术研究:电阻部分:以扩散电阻作为研究对象,对 其在大电流条件下的电流饱和现象进行了深入研究,由于该现象限制了电流 的快速泄放,使得扩散电阻无法作为独立的防护结构使用,流片测试得到的结果 验证了研究理论的正确性;二极管部分:针对大电流条件下的二极管正、反向特 性进行了研究,获得了二极管阳极有效宽度与防护性能之问的关系,并利用仿真 与流片测试结果,设计出了一种能够最大化阳极宽度的环形叉指平行布线二极管防护结 . 构;部分:从大电流条件下的栅极接地 特性入手,对结构重要的电学指标进行了研究,通过仿真 与流片测试,获得了版图参数、结构参数与鲁棒性之间的关系,并针对 多指条结构的不均匀导通问题,利用结构的寄生电容特性,设计出了一种能够抑次亚微米工艺下的防护技术研究 , 制“触发死区”现象的改进型栅耦合栅接地 ?防护结构;最后总结前述的研究结论,以多泄放通路作为设计目标, 创新性地设计出了一种单指双通路防护结构,通过与传统结构的流片测 试结果对比表明,该全新防护结构能够在全面提高鲁棒性指标的同时,有效降低 芯片面积,该防护结构最终通过了的人体放电模式 ,钡 试。 .全芯片级防护技术研究: