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基于gmID参数运算放大器设计 　　摘要：介绍一种基于gm/ID 参数特性的模拟电路优化设计方法，并以CMOS密勒补偿运算放大器的设计为例具体阐述该方法的基本设计步骤。该方法以统一的gm/ID与ID/（W/L）的关系曲线为基本设计出发点，综合电路的其它设计要求，而提出的一种优化性能指标的设计思路。对所设计的运算放大器模拟仿真验证了这种方法的有效性。 　　关键词：运算放大器；CMOS；gm/ID 　　中图分类号：TN432文献标识码：A文章编号：1009-3044(2007)16-31020-03 　　Design of Amplifiers Based on gm/ID Parameter 　　CHEN De-bing,CHANG Chang-yuan 　　(Institute of Integrated Circuit,Southeast University,Nanjing 210096,China) 　　Abstract:The aim of this paper is to present a transistor optimization methodology for analog integrated CMOS circuits,based on the physics-based gm/ID characteristics,This method dependents curve of gm/IDandID/(W/L)in all operations regions are integrated with other design specifications, providing solutions close to the optimum。As an example, we show the results obtained for the design of a CMOS Miller operational TransconductanceAmplifier, Experimental results are presented, in order to validate the methodology。 　　Key words:Operationa Amplifier;CMOS;gm/ID 　　 　　1 引言 　　 　　对电路设计者来说，模拟电路的设计是一项艰巨的挑战。因为各种设计指标相互关联，相互制约并与器件的尺寸密切相关。因此要求设计者能够使复杂多样的设计指标（功耗，带宽，增益等）同不同的设计变量（偏置电流，宽长比等）相适应。而参数及变量越多，设计过程越复杂，调适设计的周期也就越长。正是基于上述原因，为了提高设计的效率，采取了各种设计模型及不同的仿真工具。但是若要使这些措施能够获得更好的应用，所要面临的主要困难是缺少能够使器件与电路的拓扑结构相适应的模型参数。gm/ID设计方法正是基于以上原因而提出来的新的解决思路。 gm /ID设计方法它采用跨导gm与沟道电流ID的比率同标准化沟道电流ID/（W/L）为基本设计出发点 。采用gm/ID参数来设计的原因及优点是它给出了器件在不同工作范围内的具体技术指标，可以明确地划分器件工作在不同区域的参数取值。它也提供了计算MOS管的W/L及Ｌ的工具。 　　本文首先介绍了gm/ID参数设计方法的原理，然后利用该方法设计运算放大器，进而说明该设计方法的具体设计步骤。最后进行了模拟仿真验证。 　　 　　2 基于gm/ID参数设计方法的理论基础 　　 　　传统的设计方法是根据MOS管的不同工作区域的I-V方程及其它约束条件来设计MOS管的宽长比，与传统的设计方法相比gm/ID参数设计方法是根据适用于所有工作区域的统一的gm/ID与ID/（W/L）的关系曲线为基本设计出发点，结合其它的特征参数及设计指标来设计MOS管的宽长比。 　　gm/ID与ID/（W/L）的关系曲线是根据MOS管在不同工作区域的I-V方程[6]推出的，可分别表示如下： 　　gm/ID=[(2k×W/L)/ID]1/2 （饱和区） （1） 　　gm/ID=(k×W/L×VDS )/ ID（线性区） （2） 　　gm/ID=(IDO/nVT)×exp(VGS/nVT)× 　　W/L×(1/ ID)（亚阈值区） （3） 　　由上述关系式并结合BSIM3V3模型数据可绘制出gm /ID 与ID/（W/L）的关系曲线[2]如图1所示，其中各区之间的分界点是由gm /ID 与Vgs的关系曲线相应确定。从图中可见gm/ID值的选择不同，MOS管的工作区域也不同。根据gm/ID值确定ID/（W/L）， 　　从而确定MOS管的W/L （ID 值可由功耗，摆率等其它约