半导体制程技术导论chapter_7等离子体工艺.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电子回旋共振(ECR) 射频偏压功率控制离子轰击能量 微波功率控制离子束流 磁场线圈控制等离子体位置和制程的均匀性 背面要有一个具有静电夹盘(E-chuck)的氦气冷却系统来控制晶圆温度 * ECR的应用 介电质化学气相沉积 所有的图案蚀刻制程 等离子体浸置型离子注入 * 概要 等离子体是n– = n+的游离气体 等离子体由中性原子(n),电子(e),和离子(i) 组成 离子化、激发—松弛和分解 离子轰击帮助蚀刻率的增加和达到非等向性蚀刻 光的放射可以使用来做为蚀刻终端点 平均自由程和压力有关 等离子体的离子总是轰击电极 * 概要 电容耦合型等离子体，增加射频功率同时增加离子束流和离子能量 低频射频功率提供离子更多的能量，引起较激烈的离子轰击 蚀刻制程比PECVD需要更多的离子轰击 低压下产生高密度等离子体源是希望达到的目标 ICP和ECR是两种用在IC制造的高密度等离子体系统 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 蚀刻制程使用等离子体的好处 非等向性蚀刻轮廓 高蚀刻速率 光学式终端点侦测 减少化学药品的使用和废弃物的处理 * 物理气相沉积制程使用等离子体的好处 氩气溅射 薄膜品质较高 不纯度低和较高的导电系数 较好的均匀性 较好的制程控制 制程整合能力较高. 较容易沉积金属合金薄膜 * PECVD和等离子体蚀刻反应室 CVD:添加材料到晶圆的表面 自由基 为了应力控制的一些离子轰击 蚀刻: 将材料由晶圆表面移除 自由基 激烈的的离子轰击 喜低压，较好的离子定向性 * PECVD反应室 离子轰击控制薄膜的应力 晶圆放在接地电极 射频热电极和接地电极两者有相同的面积 非常小的自我偏压 离子轰击能量大約10 ~ 20 eV,主要是由射频功率大小决定 * PECVD反应室的示意图 等离子体 吸盘 RF 晶圆 * 等离子体蚀刻反应室 离子轰击 移除晶圆表面材料 打断化学键 晶圆所在的电极面积较小 自我偏压 离子轰击能量 晶圆上 (射频热电极): 200~ 1000eV 反应室盖子 (接地电极): 10~ 20 eV. * 等离子体蚀刻反应室 激烈的离子轰击产生热能 需要控制温度以保护做为图案光罩的光刻胶 水冷式晶圆冷却台(夹盤,阴极) 低压不利于从晶圆转移热能到夹盘 需要把氦气注入晶圆的背面 夹环或静电夹盘 (E-夹盘)抓住晶圆 * 等离子体蚀刻反应室 蚀刻在低压下进行 较长的平均自由程,较多的离子能量和较少的溅镀 低压, 长平均自由程,较少离子化碰撞 很难产生和支撑等离子体 磁极用来强迫电子以螺旋路径移动去增加碰撞的机会 * 等离子体蚀刻反应室示意图 制程气体 等离子体 制程反应室 副产品被真空泵抽走 夹盘 射频功率 晶圆背端用氦气冷却 磁场线圈 晶圆 * 遥控等离子体制程 需要自由基 增强化学反应 避开离子轰击 避免等离子体诱生伤害 遥控等离子体系统因此应运而生 * 制程气体 等离子体 微波或射频功率 制程反应室 副产品被真空泵抽走 遥控等离子体反应室 自由基 加热板 遥控等离子体系统 * 光刻胶剥除 蚀刻后立即移除光刻胶 O2 和H2O的化学 可以整合到蚀刻系统 临场蚀刻和光刻胶剥除 同时改善生产率和良率 * 光刻胶剥除制程 H2O, O2 等离子体 O O H 微波 制程反应室 H2O,CO2,…至真空泵 遥控等离子体反应室 O O O H H 表面有光刻胶的晶圆 加热板 * 遥控等离子体蚀刻 应用: 等向性蚀刻制程: 硅的局部氧化或浅沟槽绝缘氮化物剥除 酒杯状接触窗孔蚀刻 可以整合再等离子体蚀刻系统 改善生产率 部分往取代湿式蚀刻制程努力 * NF3 等离子体 F F F F N2 N2 F 微波 制程反应室 N2,SiF4, …至真空泵 遥控等离子体反应室 加热板 晶圆 遥控等离子体蚀刻系统 * 遥控等离子体清洁法 沉积不只发生在晶圆表面 CVD反应室需要例行清洁 避免薄膜破裂的粒子污染物 等离子体清洁一般使用氟碳化合物的气体 离子轰击影响零件的寿命 氟碳化合物的分解率低 环保人士很在意氟碳化合物的释出 * 遥控等离子体清洁法 微波高密度等离子体 自由基流入CVD反应室 和沉积薄膜反应并且移除 清洁反应室 缓和的制程,延长零件的寿命 高分解,少量氟碳化合物释出 * NF3 等离子体 F F F F N2 N2 F 微波 CVD反应室 N2,SiF4, …至真空泵 遥控等离子体反应室 加热板 遥控等离子体清洁法示意图 * 遥