传感器原理和应用主编 戴焯第七章 磁电传感器.ppt

常用半导体材料的特性 电桥补偿电路。RP用于调节补偿不等位电势。在霍尔元件输出回路串接一个温度补偿电桥，桥臂上R1~R4均为等值的锰铜电阻，其中一个桥臂电阻并联热敏电阻Rt。当温度变化时， Rt阻值随之变化，使补偿电桥的输出电压相应变化。只要精心调整补偿电桥的温度系数，便可以做到一定温度范围内－40——＋40，在1、2两点间的霍尔电势与温度基本无关。 磁阻式旋转传感器 磁阻旋转传感器可以检测磁性齿轴、齿轮的转速，若采用四磁阻元件传感器，还能检测旋转方向。采用双元件磁阻旋转传感器的工作原理图如下： 当齿轮的齿顶对准MR1，而齿根对准MR2时，MR1的电阻增加，MR2 不变，U0Uin/2；当齿轮的齿顶对准MR2，而齿根对准MR1时， U0Uin/2；当齿顶（或齿根）在MR1和MR2之间时， U0≈Uin/2，输出电压波形见图。 锗磁敏二极管的磁场频率与输出电压的关系曲线。 磁敏三极管的磁灵敏度较高，很适合与检测微弱磁场的变化，通常可测量0.1T左右的弱磁场。利用磁敏三极管磁灵敏度高的特点，可以做漏磁探伤仪、地磁探测仪等。 例如，用磁敏三极管做探头，对被测棒材表面进行探测，如图，钢棒被磁化表面无缺陷时，探头附近没有漏磁通，因而探头没有输出信号，一旦棒材有缺陷，缺陷处的漏磁通将作用在磁敏管探头上，使其产生输出信号。 第二节 磁敏电阻 磁敏电阻系指利用半导体磁阻效应研制而成的对磁场敏感的元件。如同电阻一样，磁敏电阻也只有两个端子、结构简单，安装方便，因而获得多方面应用。 一、磁阻效应 某些半导体材料在磁场作用下，不但产生霍尔效应，而且其电阻值也随磁场变化，这种现象称之为磁阻效应。引起电阻变化的原因有二，其一是材料的电阻率随磁场增加而增加，称为磁阻率效应；其二是在磁场作用下，通过磁敏电阻电流的路径变长，如图7－15所示，因而电极间电阻值增加，这种现象称为几何磁阻效应。目前实用的磁阻元件主要是利用半导体的几何磁阻效应。 图7－15 几何磁阻效应示意图 （a）L/W＜1 （b）L/W＞1 （c）柯比诺元件 半导体材料的几何磁阻效应与材料的几何形状和尺寸有关，如图7－16所示。由于柯比诺元件为盘形元件，其两电极为圆盘中心和圆周边，电流在两电极间流动时，受磁场影响而呈涡旋形流动，霍尔电场无法建立，因而柯比诺元件可以获得最大磁阻效应，但其电阻值太小实用价值不大。将长方形磁阻元件的L/W比值减小，磁阻效应RB/R0也相应增大，但零磁场下的电阻值R0也要变小。 图7－16 几何形状与磁阻变化特性 为了获得较大的磁阻效应而又有足够大的R0，实际上采用L/W＜1的多个元件串联，如图7－17所示平面电极磁敏电阻。 图7－17 平面电极磁敏电阻 平面电极磁敏电阻通常是在锑化铟（InSb）半导体薄片上，用光刻的方法制作多个平行等间距的金属条构成栅格,这相当于多个L/W＜1的长方形InSb薄片磁阻元件串联,增加了零磁场电阻R0 ,片与片之间为金属导体，把霍尔电压短路，不能形成电场力，电子运动方向总是斜的，电阻增加的很多，即可以获得较高的磁阻效应。 图7－18 磁阻特性曲线 二、磁敏电阻的基本特性 1．磁阻灵敏度 通常把磁敏电阻的比值RB/R0称为磁敏电阻的灵敏度，其中R0为无磁场时磁阻元件的阻值，RB是磁感应强度为B 时磁阻元件的阻值。 2．磁阻特性 磁敏电阻的磁阻特性指的是其阻值R 随磁感应强度B 变化的特性。特性曲线如图7－18所示，纵坐标为磁阻灵敏度RB/R0 ，横坐标为磁感应强度B 。由特性曲线可知，磁阻元件对正、负磁场的作用具备相同的灵敏度。 3．磁阻温度系数 磁阻温度系数是指温度每变化1℃，磁敏电阻的相对变化量。磁阻元件一般都是用半导体InSb制作，其磁阻受温度影响较大。 图7－19 两磁阻元件串联 三端差分型InSb电阻 为了改善磁阻温度特性，方法之一是在InSb晶体中掺入一定量的锑化镍NiSb，形成InSb－NiSb共晶磁阻元件,但掺杂后将导致磁阻灵敏度下降；方法之二是采用两个磁阻元件串联，组成差动式输出，如图7－19所示，这种方法不但具有温度补偿功能，而且使灵敏度得到提高。 图7－20是利用三端差动输出式InSb磁敏电阻构成的直线位移传感器。 三、磁敏电阻的应用 利用磁敏电阻的磁阻特性，可以应用于无触点电位差计、直线位移传感器、转速计、非接触电流监视电路等方面。 图7－20 磁敏电阻测直线位移 初态时，将磁铁置于In