电子的技术----下册.doc

PAGE 1 - PAGE 1 - 章 节 页 码 第四章 半导体理论……………………本学期学习内容 1 第一节 半导体的导电特性………………10章 1 第二节 PN结的单向导电性………………10章 1 第三节 二极管、稳压管的基本特性………………10章 1 第四节 单相整流电路………………10章 3 第五节 滤波与稳压电路………………10章 4 第六节 晶体管………………11章 4 第七节 基本放大电路及其特点………………11章 6 第八节 晶闸管………………13章 6 第九节 集成运算放大器及其应用………………12章 6 第十节 数字逻辑电路………………14章 7 答案 14 第四章 半导体理论 第一节 半导体的导电特性 [0504]关于P型半导体的下列说法，错误的是______。 A．空穴是多数载流子 B．在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C．在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体 D．在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成 [0505]关于N型半导体的下列说法，正确的是______。 A．只存在一种载流子：自由电子 B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体 D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成 [0506]金属导体的电阻率随温度升高而______；半导体的导电能力随温度升高而______。 A．升高／升高 B．降低／降低 C．升高／降低 D．降低／升高 [0507]对于半导体材料，若______，导电能力减弱。 A．环境温度降低 B．掺杂金属元素 C．增大环境光照强度 D．掺杂非金属元素 [0508]关于P、N型半导体内参与导电的介质，下列说法最为合适的是______。 A．自由电子、空穴、位于晶格上的离子 B．无论P型还是N型半导体，自由电子、空穴都是导电介质 C．对于P型半导体，空穴是唯一的导电介质 D．对于N型半导体，空穴是唯一的导电介质 [0509]P型半导体中的多数载流子是______。 A．自由电子 B．空穴 C．束缚电子 D．晶格上的离子 [0510]N型半导体中的多数载流子是______。 A．自由电子 B．空穴 C．束缚电子 D．晶格上的离子 [0512]一般来说，本征半导体的导电能力____，当掺入某些适当微量元素后其导电能力____。 A．很强／更强 B．很强／降低 C．很弱／提高 D．很弱／更弱 [0513]若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称______，若以自由电子导电为主的称______。 A．PNP型半导体／NPN型半导体 B．N型半导体／P型半导体 C．PN结／PN结 D．P型半导体／N型半导体 [0514]下列描述中不属于本征半导体的基本特征是______。 A．温度提高导电能力提高 B．有两种载流子 C．电阻率很小，接近金属导体 D．参杂质后导电能力提高 第二节 PN结的单向导电性 [0515]半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。 A．具有放大特性 B．具有单向导电性 C．具有改变电压特性 D．具有增强内电场特性 [0516]如果将一个普通的PN结的两端通过一电流表短路，回路中没有其他电源。当用光线照射该PN结时，电流表的读数______。 A．为零 B．增大 C．减小 D．视光强确定 [0517]下列PN结两端的电位值，使PN结导通的是______。 A．P端接+5 V，N端通过一电阻接+7 V B．N端接+2 V，P端通过一电阻接+7 V C．P端接-3 V，N端通过一电阻接+7 V D．P端接+1 V，N端通过一电阻接+6 V [0518]下列说法正确的是______。 A．P型半导体带正电 B．N型半导体带正电 C．PN结为电的中性体 D．PN结存在内电场，用导线短接时，有电流产生 第三节 二极管、稳压管的基本特性 [0519]如图电路，R=10 kΩ，忽略二极管导通时的管压降，则电流表的读数是______。 A．0 mA B．1.5 mA C．0.3 mA D．15 mA [0520]如图电路，R=1 kΩ，设二极管导通时的管压降为0.5 V，则电压表的读数是______。 A．0.5 V B．15 V C．3 V D．5