半导体光电子材料与器件之Helios课件-4-光电材料研究现状.ppt

光电材料的研究现状与未来 徐智谋 “十一·五”863项目重大项目 本项目分解为七个研究方向： 第三代宽禁带半导体外延材料生长和器件技术研究； 130lm/W半导体白光照明集成技术研究； 100lm/W功率型LED 制造技术开发； MOCVD装备核心技术及关键原材料产业化技术开发； 半导体照明重大应用技术开发； 半导体照明规模化系统集成技术研究； 半导体照明产业技术标准、评价体系与专利战略研究。 此次发布的课题申请指南经费预算为22000万元。 “十·五”863项目申请指南 （一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和特种光电子器件 　1、光电子基础材料、生长源和关键设备　　研究目标：突破新型生长源关键制备技术，掌握相关的检测技术；突破半导体光电子器件的基础材料制备技术，实现产业化。　　研究内容及主要指标：　　1)?高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技术(B类，要求企业负责并有配套投入)　　2)?高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类，要求企业负责并有配套投入) 3)?可协变(Compliant)衬底关键技术(A类)　　4)?衬底材料制备与加工技术(B类)　　重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等衬底材料的高标抛光产业化技术（Epi-ready级）；大尺寸（>2"）蓝宝石衬底材料制备技术和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割技术。　　5)?用于平板显示的光电子基础材料与关键设备技术(A类)　　大面积(对角线>14″)的定向排列碳纳米管或纳米棒薄膜生长的关键技术; 等离子体平板显示用的新型高效荧光粉的关键技术。 2、人工晶体和全固态激光器技术 　　研究目标：研究探索新型人工晶体材料与应用技术，突破人工晶体的产业化关键技术，研制大功率全固态激光器，解决产业化关键技术问题。　　研究内容及主要指标：　　1)?新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光器(A类);　　2)?面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器件 (A类);　　3)?研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术(B类)，高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类)，基于全固态激光器的全色显示技术(A类);　　4)?研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模块产业化技术(B类);　　5)? Yb系列激光晶体技术(A类)。 3、新型半导体材料与光电子器件技术 　　研究目标：重点研究自组装半导体量子点、ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新型半导体材料及光电子器件技术。　　研究内容及主要指标：　　1)?研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术，研制短波长光电子器件 (A类)　　2)?自组装量子点激光器技术 (A类)　　3)?Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A类)　　4)?光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类) 4、?光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类) 　　研究目标：发展人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件表征评价技术，解决产业化质量控制关键技术。　　研究内容：重点研究人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新技术，相关产品测试条件与数据标准化研究。 5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预测研究(A类) 　　研究目标：提出光电子新材料、新器件的构思，为原始创新提供理论概念与设计　　研究内容：针对光电子技术的发展需求，结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的优化。解释材料制备实验中的新现象和问题，预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价技术和设备。 （二）通信用光电子材料、器件与集成技术 1、集成光电子芯片和模块技术 　　研究目标：突破并掌握用于光电集成(OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS)方面的材料和芯片的关键工艺技术，以典型器件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善，探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展的途径，促进芯片、模块和组件的产业化。 研究内容及主要指标： 　　1)?光电集成芯片技术 　　　(1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成光发射机芯片及模块关键技术(A类)　　　(2) 高速 Si基单片集成光接收机芯片及模块关键技术(A类)　　2) 基于平面集成光波导技术的OADM芯片及模块关键技术(A类)　　3) 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技术(B类)　　4) 基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8以上阵列光开关关键技术(A类)　　5) 光电子芯片与集成系统(Integrated