微观相场法研究高铝Ni75AlxV25-x中Ni3Al反位-西北有色金属研究院.PDFVIP

第 38 卷 第 3 期 稀有金属材料与工程 Vol.38, No.3 2009 年 3 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING March 2009 微观相场法研究高铝 Ni Al V 中Ni Al 反位缺陷 75 x 25-x 3 张 静，陈 铮，张利鹏，来庆波，徐 聪 (西北工业大学，陕西 西安 710072) 摘 要：采用微观相场法研究高 Al 浓度 Ni Al V 合金析出相 Ni Al 的反位缺陷随 Al 浓度增高的变化规律。选取在 75 x 25-x 3 1150 K 温度下时效从 8 at%Al 至 20 at%Al 的共 14 个合金作为研究对象。研究结果显示：此类型合金主要反位缺陷类型 是 V 、Ni ；随 Al 浓度增高，反位缺陷 Al 增高；而 Ni 、V 、V 3 种反位缺陷变化与 Al 浓度和 Ni V 析出与否 Al Al Ni Al Al Ni 3 相关，Al 浓度稍低时，有 Ni V 相析出，Al 浓度增高反位缺陷 Ni 降低，V 升高，V 没变化；Al 浓度稍高时，无 Ni V 3 Al Ni Al 3 相析出，Al 浓度增高反位缺陷 NiAl 稍有降低，VNi 、VAl 明显降低。 关键词：反位缺陷；L1 结构 Ni Al ；微观相场 2 3 中图法分类号：TG111.2 文献标识码：A 文章编号：1002-185X(2009)03-0416-05 反位缺陷可简单定义为对于包含 A 和 B 两种亚晶 法多为基于量子力学密度泛函的第一性原理，从头算 格位置 A 3B 型金属间化合物，A 原子占据 B 亚晶格位 起能方法、EAM 势等，而常用的相关软件多为 Material 置，即形成 B 位置反位缺陷，表示为 AB ，相应地，B studio 、VASP 等，其方式是通过计算金属间化合物键 原子占据 A 亚晶格位置，即形成 A 位置反位缺陷，表 合的形成能来表征各种缺陷的大小。微观相场法多被 示为 BA 。反位缺陷是有序金属间化合物中的一种结构 用于模拟组织演化[11~13] ，据作者所知，用微观相场法 缺陷，是点缺陷的一种，清楚反位缺陷，能更好地阐 研究反位缺陷尚未见报道，这种方法可明确的表征反 释金属间化合物的性质。 位缺陷随时间的动态变化过程。本研究借助于微观相 S.