锡掺杂镧锰氧化物薄膜及其磁性传输性质、电子-国立交通大学机构典藏.PDFVIP

錫摻雜鑭錳氧化物薄膜及其磁性傳輸性質 、電子 結構與微結構之研究 研究生 :鄭璨耀 指導教授 ：莊振益教授 國立交通大學 電子物理系 中文摘要 本論文有系統地探討錫摻雜鑭錳氧化物 Ls Sn MnO (x=0.1 －0.5)製程 、結構對其 1-x x 3 物性的影響。在鑭錳氧化合物中使用錫四價離子來取代鑭三價離子的課題 ，因製備不易 而較少有系統性的研究成果報導 ，且發表的文獻亦存有許多尚待釐清的爭議，本論文詳 細 比較此材料的錫摻雜濃度 、磁傳輸行為 、電子結構與微結構間之相互影響 ，並提供明 確的證據 以釐清一些重要的議題。 首先 ，我們研究以脈衝雷射蒸鍍法在鈦酸鍶基板上製備晶軸取向優異的 La0.7Sn0.3MnO3 薄膜。雖然 直接成長的樣品 並未顯現 出絕緣－金屬相轉變，在溫度約為 170K時 均顯現順磁－鐵磁相轉變 。值得注意的是 ，經過熱處理之後的樣品 ，不但改善 了晶格結構也同時 趨使材料在315K時顯現龐磁阻材料典型之絕緣 －金屬相轉變溫度並 將順磁－鐵磁相轉變溫度提升至 320 K 。我們認為在未經退火熱處理的樣品中 ，錫與鑭 離子巨大的 半徑差距以及薄膜與基板的磊晶關係所產生的應力 ，係促使 其載子傳輸侷限 化之重要原因 ，也因此壓抑了發生絕緣 －金屬相變所需之長程鐵磁有序之轉變 。從初步 3+ 2+ 的 x 光吸收光譜 (XAS)量測結果可發現 ：La Sn MnO中的 錳呈現了 Mn /Mn 混合 0.7 0.3 3 i 價 ，顯 示摻雜四價的錫離子的確 造成了在錳的 e 能帶中電子 摻雜的效應 。 g 為深入研究此一現象 ，我們針對成長在鑭鋁氧基板之La0.7Sn0.3MnO3 薄膜作更進一 步的分析。從穿透電子顯微鏡分析 ，清楚顯示直接成長的La0.7Sn0.3MnO3 薄膜與基板間 有極佳磊晶關係 ，同時各種元素 組成均勻分佈於樣品中。這證明 我們已經可以在不破壞 鈣鈦礦結構且沒有組成分佈不均勻的出現的情況下 ，成功地製備出La Sn MnO 系統中 1-x x 3 x ＝0.3的樣品 ，並釐清文獻上所稱無法在鑭錳氧化物中摻雜錫之迷思 。另一方面 ，在氧 氣與氬氣中進行熱處理後 ，La Sn MnO 薄膜呈現絕緣 －金屬相轉變同時在 相轉變溫度 1-x x 3 上也有顯著的 提升 ，是否為應力釋放後的本質特性或有其他效應產生則仍待釐清 。我們 由 穿透電子顯微鏡的元素組成分佈分析的結果發現 熱處理後 ，樣品中有錫化合物出現 ， 故熱處理可能同時導致所得到的薄膜樣品成為缺鑭的鑭錳氧化合物 ，而非原生成之摻錫 鑭錳氧化物 。 最後 ，我們有系統的研究了La Sn MnO (x ＝0.1 －0.5) (LSnMO)的電子結構與磁性 1-x x 3 質 。我們觀察到直接成長的LSnMO在摻雜範圍 x ＝0.1 －0.5時皆屬於鐵磁絕緣體 材料 ， 和前述 無秩序的結構妨礙長範圍的磁有序而導致這類樣品呈現鐵磁絕緣體的性質的機 制吻合 。