发光二极管光取出理及方法.pptVIP

2 发光二极管光取出原理及方法 2.1 发光二极管光取出原理 电光转换效率(Wall-plug Efficiency)：半导体发光二极管的辐射发光效率，是光的输出功率于输入电流功率之比。 Popt:光输出功率；Cex：光取出效率；I与V分别为加在LED两端的电流和电压。 因此，在输入功率一定的情况下，要改进电光转换效率就要改进内部量子效率和高的光取出效率。 光在产生和辐射过程中的损失 一般平面结构的LED都生长在具有光吸收功能的衬底上，以环氧树脂圆顶形封装。这种机构光取出效率可能低至4％左右。 原因：一是电流分布不当以及光被材料本身吸收；二是不易从高折射率的半导体传至低折射率的空气 影响光取出效率的三个原因 1，材料本身的吸收。解决措施：厚的窗口层（window layer）或电流分布层使电流均匀分布并增大表面透过率；用电流局限技术（Current Blocking）使电流不在电接触区域下通过；用透明或不吸光的材料做衬底或者在活性层下设置反射镜将光反射至表面 2，菲涅尔损失：当光从折射率为n1的某种物质到折射率为n2的某种物质时，一部分光会被反射回去。菲涅尔损失系数为 若n1=3.4,n2=1,则 ，也就是70.2％的光可以投射半导体与空气的界面 3，全反射损失：只有小于临界角内的光可以完全被射出，其他的光则被反射回内部或吸收。 解决措施：一般情况下用环氧树脂做成圆顶（Semispherical Dome），放在LED芯片上，可以大大增加临界角，但是制造成本同时增加 一种经济的减少全反射的方法是将p-n结用环氧树脂包封起来，利用模具可以很方便地浇铸成半球形封帽。如下图所示，目前工业化生产地单体发光二极管多采用类似结构 2.2 增加光取出率的方法 增加光取出率，首先要增加内部量子效率，希望能达到99％左右。然后需要改进内部结构以利于电流分布以及减少光吸收。 2.2.1 增加内部量子效率 1、采用最佳活性层 对InGaN/ GaN 量子阱而言,大部分注入电子被俘获并限制在阱层,这些被俘获的电子被电场加速到高能量,使场离化,离化的空穴与电子复合,产生光子. 但是那些未被俘获并限制于阱层的电子将形成漏电流. 惠普公司采用4个50nm厚的AlInGaN/ GaN量子阱，发现其发光效率要比在同等厚度下的非量子阱活性层效率高30％。 下图是南昌大学教育部发光材料国家重点实验室制备的InGaN/ GaN量子阱，数目为5个 外延在异质衬底上的GaN失陪位错和线性位错密度一般位 ，其他的晶体缺陷包括晶界、堆垛层错，这些缺陷都是非复合中心。会在带隙中引入能量态和降低少数载流子的寿命。 缺陷会提高器件的阈值电压和反向漏电流，降低载流子迁移率和热导率。这些不利效应将阻止理想性能的复杂结构的、大面积大功率器件的制备 2.3 改进内部结构 1、改善电流分布 蓝光LED外延层由沉积在蓝宝石衬底上的N型GaN、InGaN/GaN多量子阱和顶层的P型GaN构成。电子和空穴在作为发光区的量子阱里结合产生光子。光子经过P型的透明或半透明电极，透射出LED器件。GaN和相关的半导体材料被看作是制作蓝光和紫外波段的LED最为合适的材料 为提高出光效率和空穴的均匀注入，P型GaN的透明导电薄膜是必不可少的。由于金属薄膜低的透光率和在高注入电流下金的扩散，用传统的金属薄膜作为P型GaN欧姆接触的LED出光效率低、稳定性差。如半透明的Ni/Au薄膜的透光率大约只有60一75%。解决这个问题的一个可行方法是用透明的ITO薄膜代替Ni/Au薄膜作为P性GaN的接触层。ITO具有硬度好、化学性质稳定、导电性好和低的光吸收系数。并且，ITO薄膜和GaN之间附着好。由于这些特性，ITO是很有前途的P型GaN的电极材料。 补充 ：LED 发光机制 1、p-n结注入发光 p-n结处于平衡时，存在一定的势垒区，其能带如图。 如加一正向偏压，由于势垒区载流子浓度很小，电阻很大，外加电压基本降落在势垒区，削弱了势垒区的内建电场，势垒减小。 载流子的扩散和漂移之间的平衡被打破，扩散流大于漂移流，即产生电子由n区注入p区和空穴由p区注入n区的净扩散流，如图所示。 这些进入p区的电子和进入n的空穴都是非平衡少数载流子，非平衡少子边扩散边与多数载流子复合而发光，经过比扩散长度大几倍的距离后，全部被复合，这段区域称为扩散区，这就是p-n结中的非平衡载流子注入发光。 2、异质结注入发光 为了提高少数载流子的注入效率，可以采用异质结。 图19（a）表示理想的异质结能带示意图。 当加正向偏压时，势垒降低。但由于p区和n区的禁带宽度不等，势垒是不对称的。 加上正向偏压，如图19（b），当两者的价带达到等高时，p区的空穴由于不存