Ti掺杂TaN薄膜与微波衰减器研究-电子信息材料与元器件专业论文.docxVIP

摘要 摘要 I I 摘 要 微波衰减器因其质量轻、体积小、易集成、使用频率高等特点而被广泛应用 于现代微波通信系统和微波电路中。衰减器在微波系统中主要作用是调节输入信 号电平且不使信号发生畸变。微带薄膜衰减器主要通过电阻性薄膜材料吸收功率 转化为热量来实现衰减。TaN 薄膜作为重要的电阻性薄膜材料，具有非常重要的 研究价值。本文首先研究了 TaN 薄膜材料的性能，并将 TaN 薄膜作为电阻材料设 计了一系列不同衰减量的衰减器。本文关于微波衰减器主要做了以下三方面的研 究工作： 在材料方面，通过在 Ta 靶上放置不同面积的 Ti 靶来实现不同比例的 Ti 掺杂， 研究了 Ti 掺杂比例对 TaN 薄膜电阻率和电阻温度系数（TCR）的影响。研究发现 随着 Ti 掺杂比例的增大，薄膜的电阻率逐渐增大，但薄膜的 TCR 也逐渐增大。当 掺杂比例达到 26%时，TaN 薄膜的电阻率几乎增加了一倍，薄膜的 TCR 也由未掺 杂时的-45 ppm/℃增大到-214 ppm/℃；通过控制流入真空室中 N2 的含量来制备多 层膜结构，多层膜由 Ta、Ti 构成的金属层和 TaN、TiN 构成的氮化层组成。研究 发现随着 Ta、Ti 构成的金属层比例不断增大，薄膜的电阻率逐渐减小，但薄膜的 TCR 也逐渐减小，当金属层的比例增大到 67%时，薄膜的 TCR 由-166 ppm/℃变为 -74 ppm/℃，TCR 得到改善。 在衰减器设计与仿真方面，根据多级衰减器级联的思想，利用 HFSS 软件设计 仿真了衰减量分别为 12 dB、13 dB、19 dB、20 dB（两种）共五种衰减器。其使用 频率均为 DC-15GHz，在该频率范围内，VSWR 均小于 1.25。依据电阻膜面积大 小，设计 12 dB 衰减器和 13 dB 衰减器的承载功率为 2W，19 dB 衰减器和 20 dB 衰减器（两种）的承载功率为 3W。 在衰减器制作与测试方面，利用磁控溅射，真空蒸发和光刻等技术在被釉 BeO 基片上制备了衰减器；制作测试夹具，利用矢量网络分析仪测试了衰减器的微波 性能，测试结果基本与设计相符。通过对各个衰减器加载 1 小时相应的设计功率， 测得电阻膜表面最高温度都低于 125℃，达到了设计要求。 关键词：衰减器，TaN 薄膜，TCR，仿真 II II ABSTRACT ABSTRACT For its characteristics of light weight, small size, ease of integration and high operating frequency, Microwave attenuator are widely used in modern microwave communication systems and microwave circuits. The main role of attenuators in the microwave system is to regulate the input signal without distortion. Microstrip thin film attenuator can achieve attenuation primarily through thin film material which can absorb power and converted the power to heat. As an important thin film resistive material, TaN thin film has a very important research value. Firstly, this paper studied the performance of TaN film material, then, a series of attenuators with different amount of attenuation were designed by using TaN thin film as the resistance material. This paper has done the following three aspects of research work about microwave attenuator. In the aspect of materials, to achieve different ratios of Ti doped, Ti target of different areas is placed on the Ta target. In this way, the influ