用于下一代功率模块中新一代硅片设计.PDFVIP

第42 卷第 10 期 电力电子技术 Vol.42 No.10 2008 年 10 月 Power Electronics October 2008 于下一代功率模块中的新一代硅片设计 Katsumi Satoh Tetsuo Takahashi Hidenori Fujii Manabu Yoshino 渊三菱电机功率器件福岡制作所 日本福岡 819-0192 冤 摘要 受益于快速发展的硅片工艺 IGBT 硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理 极限遥 三菱 电机通过采用新的硅片技术 已经可以进一步降低功率器件的功率损耗遥 这里介绍了该新硅片技术中的微细图形工 艺和优化杂质分布后新的硅片结构遥 关键词 模块曰 损耗/ 硅片设计技术 中图分类号 TM46 曰 TN3 文献标识码 A 文章编号 1000-100X