ZnO 及其掺杂薄膜结构与性质研究-光学专业论文.docxVIP

摘要 摘要 - - PAGE 1 - 摘 要 氧化锌（ZnO）是一种新型直接宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为 3.37 eV，激子 束缚能为 60 meV，有优良的物理和化学性质，在平板显示器、太阳能电池、紫外探测器和 透明导电薄膜等领域有广泛的应用前景。尽管人们已对 ZnO 薄膜进行了研究，并取得了一 些有价值的研究成果，但目前 ZnO 薄膜的质量没有达到实用化要求，因此制备高质量的 ZnO 薄膜是目前研究的一个重要方向。脉冲激光沉积（PLD）法是一种有效的方法。ZnO 优异的光电性能被广泛研究的同时，在 ZnO 基质中掺入外来的离子从而改变 ZnO 结构性 能更是拓宽了 ZnO 潜在的应用领域。作为一种重要的红光发光中心，稀土 Eu3+近年来被广 泛关注。稀土 Eu3+掺杂 ZnO 的研究引起了人们的兴趣，但基于 PLD 法制备的稀土 Eu3+掺 杂 ZnO 研究很少。ZnO 基器件大 多 选 用 Au、 Ag、 Pt 及 ITO 等 比 较 昂 贵 的 电 极 ， 考 虑到铜良好的导电性、较强的抗电迁移性能和较低的成本，我们尝试用铜作电极得到了 MSM 结构的 Cu/ZnO 接触。本文研究的主要内容包括以下几个方面： 1. 利用 PLD 技术在 S（i 111）衬底上生长了 ZnO 薄膜，通过 XRD 测试和光致发光（PL） 谱分析研究了衬底温度、氧流量和缓冲层对样品的结构和发光性能的影响。XRD 研究结果 表明，所有样品仅出现 ZnO（002）衍射峰，说明样品具有很好的 c 轴择优取向。随着衬 底温度的升高，衍射峰半高宽（FWHM）先减小后增加，当衬底温度为 300 ℃时，FWHM 最小，结晶质量最好。当氧流量较小时，结晶质量较差。随着氧流量的增加，衍射峰强度 增大，FWHM 减小；氧流量为 10 sccm 时，衍射峰最强，FWHM 最小；当氧流量继续增 加，半高宽增大，结晶质量变差。随着缓冲层厚度的增加，外延层的结晶质量逐步提高， 当脉冲个数为 1000 时，FWHM 最小。但是当缓冲层厚度继续增加时，ZnO 外延层结晶质 量变差。PL 谱研究表明，当用 350 nm 的光激发样品时，样品呈现三个发光带，分别是位 于 380 nm 左右的紫外发射、440－480 nm 范围的蓝光发射和位于 600 nm 左右的橙黄发射。 PL 谱测试结果表明，制备条件对样品发光强度影响较大。随着衬底温度从室温增加到 300 ℃，样品的发光强度逐渐增加，但当温度升高到 400 ℃时，发光强度又降低。发光强 度随氧流量的变化规律与随衬底温度的变化规律相似，当氧流量为 10 sccm 时样品发光最 强。研究还发现，有缓冲层时样品的发光明显增强，当缓冲层脉冲个数为 1000 时样品发 光增强，和真空中生长的样品相比，外延层在有氧气氛中制备的样品发光较强。通过 CIE 标 准 色 度 学 对 样 品 的 色 度 表 征 结 果 表 明 ， 所 有 样 品 均 呈 现 白 光 发 射 ， 在 白 光 LED 荧 光 粉 方 面 有 潜 在 的 应 用 前 景 。 2. 利用 PLD 技 术 在 Si(111)衬 底 上 制 备 了 ZnO:Eu3+,Li+薄 膜 ， 分 别 研 究 了 生 长 氧 压 、 退 火 气 氛 和 退 火 温 度 对 样 品 结 构 和 发 光 性 质 的 影 响 。 XRD 谱 研 究 表 明 ，所 有 样 品 均 仅 出 现 ZnO 基质的（002）衍射峰，说明 Eu3+已进 入 ZnO 基质晶格，没有单独形成结晶氧化物。随着氧压的增加， FWHM 先减小后增加， 氧压为 0.3 Pa 时达到最小。随着氧压的增大，晶面间距逐渐减小，但由于 Eu3+进入了 ZnO 晶格，薄膜晶面间距均大于 ZnO 材料的标准值。和真空中退火的样品相比，氧气气氛中退 火的样品的 FWHM 较小，薄膜结晶质量较好。在真空中退火时，当退火温度为 550 ℃ 时 样品衍射峰强度最大，FWHM 最小，结晶质量最好。 PL 谱 研 究 表 明 ： （ 1） 对 于 不 同 氧 压 下 生 长 的 样 品 ， 当 用 325 nm 的光激发时， 所有样品的发光主要由 ZnO 基质的紫外发射和绿光发射组成，并没有出现稀土 Eu3+的特征 发射峰。随着氧压的变化，峰位变化较小，发光强度变化较大。当用 395 nm 的光激发样 品时，在 613 nm 处 出现 明显的 Eu3+电偶极（5D0→7F2）跃迁发 光 峰 ，随 着 氧 压 的 增 加 ， Eu3+的特征发光峰明 显 增 强 。（ 2）对 于 退 火 的 样 品 ，用 395 nm 的光激发样品时，光谱 中没有出现 Eu3+ 位于