UR3311系统应用指南.PDFVIP

UR3311 系统应用指南 升级版 2016Q4 1 目录  芯片简介 -更新应用信息  典型应用 -更新应用拓扑 -更新典型应用原理图  基本算法 -增加谷底检测，恒流原理以及OVP详细介绍  应用注意事项 -增加谷底检测稳定性电路 -增加PCB走线原则 2 典型应用 BOOST+FLYBACK 的隔离应用原理图 输入：90Vac~305Vac 输出：40V/1.5A 效率：89.7%@ 220Vac PF:：0.95 @ 90Vac~305Vac THD ：20% @90Vac~305Vac 3 典型应用 IC型号 应用拓扑 Boost+Flyback UR3311 ≤60W@90Vac~305Vac 4 基本算法 输入滤波器设计 UR3311的输入滤波器一般采用：  高频共模磁环+X-cap+共模电感+工字型电感 +桥后CBB 电容的组合，如果空间允许，输 出也可以加高频共模磁环。  共模电感和工字型电感需要考虑输入电流变 大之后，导致的损耗过大的问题  X 电容和CBB需要考虑其耐压 5 基本算法 EMI的设计 A ：UR3311的EMI滤波器设计相对复杂一点，需要增加共模电感和高频共模磁环来 解决EMI的问题 B:由于UR3311 特殊的供电方式，（即：从整流桥前为VDD直接供电）供电回路存 在一部分寄生参数容易对传导以及辐射产生负面影响。因此供电电路最好设置在滤 波器件之后。 C：适当的减小功率回路的面积对辐射非常有帮助。在PCB布板的时候应优先考虑 传导辐射，进行元器件的放置以及走线。 由于MOS管与散热器之间存在寄生电容， 散热器最好能接地。 D：适当减慢开关管的开关时间，对EMI设计也有帮助。因此在设计时，MOS管的 驱动最好能留相应的位置。RCD吸收电路最好也能放一个损耗电阻，一方面改善 RCD的波形另一方面改善系统EMI性能(详见电路图)。 6 基本算法 升压跟随设计 Vbus Vbus (V) 500 Vovp_bus 输入检测 升压跟随检测