半导体器件可靠性与失效分析2011-2012-11594最全版.pptVIP

集成电路 失效模式：漏电或短路，击穿特性劣变，正向压降劣变，开路可高阻 失效机理：电迁移，热载流子效应，与时间相关的介质击穿(TDDB)，表面氧化层缺陷，绝缘层缺陷，外延层缺陷 * KUHKUK 声表面波器件 * KUHKUK MEMS压力传感器 * KUHKUK MEMS器件的主要失效机理 1.粘附----两个光滑表面相接触时，在力作用下粘附在一起的现象； 2.蠕变----机械应力作用下原子缓慢运动的现象；变形、空洞； 3.微粒污染----阻碍器件的机械运动； 4. 磨损----尺寸超差，碎片卡入； 5. 疲劳断裂----疲劳裂纹扩展失效。 * KUHKUK 真空电子器件(vacuum electronic device) 指借助电子在真空或者气体中与电磁场发生相互作用，将一种形式电磁能量转换为另一种形式电磁能量的器件。具有真空密封管壳和若干电极，管内抽成真空，残余气体压力为10-4～10-8帕。有些在抽出管内气体后，再充入所需成分和压强的气体。广泛用于广播、通信、电视、雷达、导航、自动控制、电子对抗、计算机终端显示、医学诊断治疗等领域。 * KUHKUK 真空电子器件按其功能分为： 实现直流电能和电磁振荡能量之间转换的静电控制电子管； 将直流能量转换成频率为300兆赫～3000吉赫电磁振荡能量的微波电子管； 利用聚焦电子束实现光、电信号的记录、存储、转换和显示的电子束管； 利用光电子发射现象实现光电转换的光电管； 产生X射线的X射线管； 管内充有气体并产生气体放电的充气管； 以真空和气体中粒子受激辐射为工作机理，将电磁波加以放大的真空量子电子器件等。 * KUHKUK 自20世纪60年代以后，很多真空电子器件已逐步为固态电子器件所取代，但在高频率、大功率领域，真空电子器件仍然具有相当生命力，而电子束管和光电管仍将广泛应用并有所发展。[1]??真空电子器件里面就包含真空断路器，真空断路器具有很多优点，所以在变电站上应用很多。真空断路器已被快易优收录，由于采用了特殊的真空元件，随着近年来制造水平的提高，灭弧室部分的故障明显降低。真空灭弧室无需检修处理，当其损坏时，只能采取更换。真空断路器运行中发生的故障以操作机构部分所占比重较大，其次为一次导电部分，触头导电杆等。 * KUHKUK 第二章 元器件制造工艺与缺陷 2.1 芯片加工中的缺陷与成品率预测 芯片制造缺陷的分类： 全局缺陷：光刻对准误差、工艺参数随机起伏、线宽变化等；在成熟、可控性良好的工艺线上，可减少到极少，甚至几乎可以消除。 局域缺陷：氧化物针孔等点缺陷，不可完全消除，损失的成品率更高。 点缺陷：冗余物、丢失物、氧化物针孔、结泄漏 来源：灰尘微粒、硅片与设备的接触、化学试剂中的杂质颗粒。 * KUHKUK 2.2 混合集成电路的失效 混合集成电路工艺： IC工艺：氧化、扩散、镀膜、光刻等 厚膜工艺：基板加工、制版、丝网印刷、烧结、激光调阻、分离元器件组装等 薄膜工艺：基板加工、制版、薄膜制备、光刻、电镀等 失效原因： 元器件失效：31% 互连失效：23%，引线键合失效、芯片粘结不良等； 沾污失效：21% * KUHKUK 关于混合集成电路： 按制作工艺，可将集成电路分为: 1.半导体集成电路(基片：半导体) 即:单片集成电路(固体电路) 工艺:半导体工艺(扩散、氧化、外延等) 2. 膜集成电路(基片：玻璃、陶瓷等绝缘体) 工艺：薄膜集成电路 真空蒸镀 溅射 化学气相沉积技术 厚膜集成电路 浆料喷涂在基片上 　经烧结而成(丝网印刷技术) * KUHKUK 3. 混合集成电路(Hybrid Integrated Circuit) 特点： 　　　充分利用半导体集成电路和膜集成电路各自的优点，达到优势互补的目的． 　 工艺： 　　　用膜工艺制作无源元件，用半导体IC或晶体管制作有源器件． 三种集成电路的比较 : * KUHKUK 　　　　 混合IC 膜IC 半导体IC 成本低 批量时成本下降 在批量时下降 可靠性好 可靠性好 可靠性最好 自由度大 自由度较大 自由度受限制 设计周期短 设计周期较短 设计周期长 1?~1M ? 1?~10M ? 101?~101k ?