电阻和电感的完整的电路模型附件的电路元件分布于导线整个长度.PPTVIP

* 3. 分布 RC-线 节点i处的电压确定（电流方程） 扩散方程 无收敛解！ 集总RC 梯形网络 计算机辅助分析 * 模拟得到的电阻-电容导线的阶跃响应与时间及位置的关系 导线上不同点处随时间的波形 波形迅速变差 * RC-Models Example 4.8 * Design Rules of Thumb rc延时只是在 tpRC tpgate 才考虑，则临界长度 Lcrit ? tpgate/0.38rc Rc延时只是在逻辑门的输入信号的上升（下降）时间小于导线的上升（下降）时间 trise RC（导线的总电容、总电阻） 如不满足，信号的变化将比导线的传播延时慢，仅采用集总电容模型即可 ? MJIrwin, PSU, 2000 EE141 * EE141 ? Digital Integrated Circuits2nd Wires * Digital Integrated CircuitsA Design Perspective The Wire Jan M. Rabaey Anantha Chandrakasan Borivoje Nikolic * 4.14.2 芯片上的互连 * 寄生参数效应的影响 互连中的寄生参数效应 降低可靠性：额外的噪声来源 影响性能和功耗：传播延时增加功率分布 寄生参数效应类型 Capacitive 电容 Resistive 电阻 Inductive 电感 * 导线 schematics physical 一个总线网络中的每条导线把一个（或多个）发送器连至一组接收器。每条导线是由一系列不同长度和几何尺寸导线构成 所有的导线段都在统一互连层上实现，并通过一层绝缘材料与硅衬底及相互间隔离 * 导线模型 考虑互连线寄生电容、电阻和电感的 完整的电路模型 附件的电路元件分布于导线整个长度 （当导线长度远远大于宽度时） 仅考虑电容的模型 * 如果导线的电阻很大---如截面很小的长铝导线，或外加信号的上升和下降时间很慢，电感的影响可以忽略； 当导线很短、截面很大，或所采用的互连材料电阻率很低时可以采用只含电容的模型； 相邻导线间的间距很大，或当导线只在一段很短的距离上靠近在一起时，导线间的电容可以被忽略，所有的寄生电容可以被模拟成接地电容 互连寄生参数效应的简化 * INTERCONNECT 参数提取工具 经验数据 * 4.3.1. Capacitance: 平板电容模型 Wtdi 电容正比于两个导体之间相互重叠的面积而反比于它们之间的间距 减小工艺尺寸的同时使导线电阻最小 导线截面W ×H尽可能大 较小的W值可得到较密集的布线，较少的面积占用 W/H(下降) * Permittivity 典型绝缘材料的相对介电常数 * W - H/2 H + (a) (b) Fringing Capacitance 边缘电容 (W/H) 1 Cpp Cfringe Cpp Cfringe 平板电容器模型不适用！ 边缘场 等效模型 w H * 边缘场效应 互联线电容与W/H的关系 当 W/H1.5时 ------ Cfringe 起主要作用 对于较大的W/H，总电容接近平板电容模型 当W/H1.5时，边缘电容部分实际上变成了主要部分 对于较小的线宽，边缘电容可使总电容增加10倍以上 当线宽小于绝缘层厚度时，总电容会趋于大约1pF/cm的常数值 W/H * 互连线电容 每条导线不只与接地的衬底耦合且与处在同一层及相邻层上的临近导线耦合 不会使连至一个给定导线的总电容发生变化----各部分电容并不都终止在接地衬底上 浮空电容形成噪声源，影响电路性能 * 导线间电容的影响 由于较高互连层中的导线离衬底更远，导线间的电容对于其影响尤为明显； 绝缘层和导线的厚度保持不变，其它尺寸按比例改变 1.75 随着特征尺寸的缩小，导线间电容在总电容中所占比例增加 互连电容与设计规则间的关系— 它由一个接地电容及一个导线间电容构成 * Wiring Capacitances (0.25 mm CMOS) 典型.25um工艺导线的平面电容和边缘电容值。表中各行代表 电容的上极板，而各列代表它的下极板（阴影为边缘电容） P103-Table 4.2 * Interwire Capacitance (0.25 mm CMOS) 工艺层 Poly Al1 Al2 Al3 Al4 Al5 电容 40 95 85 85 85 115 布置在同一层彼此间有最小间距的平行导线间电容的典型值 同时包括平行板和边缘电容两部分 使Al5导线间距比最小允许值更大，或作为电源线 典型.25um CMOS工艺不同互连层上每单位导线长度的线间电容 * Exam4.1 Inter