VdsPFC电路输入电感器对差模噪声影响.PPTVIP

DPEC - Chen Wei * 影响开关电源EMI特性的磁件设计技术 陈 为 博士 chw@fzu.edu.cn 福州大学电气工程与自动化学院 教授，博导 中国电源学会常务理事，专家委员会副主席 磁技术专业委员会 主任委员 2013.08.30 主要内容 功率变换器的电磁干扰问题 磁元件对差模噪声的影响机理 降低和控制差模噪声的设计要点 (PFC) 磁元件对共模噪声的影响机理 降低和控制共模噪声的设计要点 (Flyback, LLC) 变压器共模噪声特性的测量评估 磁元件的近场干扰影响 LISN 功率变换器 Filter 共模噪声CM-CE 近场耦合 RE 滤波器 功率变换器电磁干扰问题 负载 电网 差模噪声DM-CE EMI接收机 RE接收天线 阻抗稳定网络LISN作用： 提供50W标准阻抗特性 滤除电网谐波干扰 采集传导CE噪声信号 电源输入线 负载输出线 开关频率提高 噪音源基波和谐波频率提高 开关速度加快 噪音源高频谐波分量增多 功率密度提高 元器件之间近场耦合作用加强 功率变换器电磁干扰问题的重要性 环境友好要求 EMI标准更严格 Adapter EMI滤波器 Rm1 Lw1 Rw1 Cp1 非均匀绕组 有磁场扩散 电感 电磁干扰传输途径—磁性元件杂散参数 Rm2 Lw2 Rw2 Cp2 内部分布参数 外部分布参数 磁场泄露 电场感应 磁元件设计考虑要点 结构设计 电气设计 损耗设计 EMI设计 杂散参数 变压器中的电磁场分布与对应参数 激磁磁通 漏磁通 ip is im 原边电荷 副边电荷 原、副边电荷 电场分布 磁场分布 涡流损耗 磁芯损耗 差模噪声 LPFC 阻抗特性 Q + D Lpfc LISN Vds Lpfc 差模EMI模型 Rm Lw Rw Cp Lt Rt Ctp Vds PFC电路输入电感器对差模噪声影响 约12MHz L EPC Core 0 1/4U 1/4U U 1/2U 3/4U 3/4U 1/2U Core 1/4U 1/4U U 1/2U 3/4U 3/4U 0 1/2U Core 0 1/2U 1/2U 1/8U 1/8U 2/8U 2/8U 3/8U 3/8U 5/8U 5/8U 7/8U 7/8U U 6/8U 6/8U EPC最小 EPC最大 EPC中等 电感器绕组分布电容形成机理与影响因素 Q + D Lpfc Vds 变压器原副边耦合电容产生共模电流 V(x) Vp x LISN icm Cps Vp LISN L N icm Qps 变压器副边的感应电荷是共模噪声的重要来源 降低共模耦合电容的考虑 增加原副边绕组间的距离 减少原副边绕组间的面积 漏感增大, 体积增大 绕组损耗增大 采用更完全的屏蔽 增加空间, 成本和损耗 改变电位分布 简单的方法 改变绕组线端点位降低共模有效电容 3-1 6-7 1-3 6-7 端口1 端口1 端口3 端口3 EMI Filter 1 3 6 7 端点1：电位变化端点 端点3：电位固定端点 有内部屏蔽铜箔变压器绕组电场分布 有内部屏蔽铜箔 V(x) Vp x Qps LISN Qsh Vp LISN L N icm Cps 由于屏蔽层屏蔽作用，变压器副边感应的共模电荷大大减少 Flyback电路变压器共模噪声抵消技术 V(x) Vp x +Qps -Qsp LISN 当 Qps=Qsp时，变压器副边的电荷将相互抵消为零 Vp LISN L N Vp*Cps Cps Csp Vs 当 Vp*Cps=Vs*Csp 时，共模噪音电流将抵消为零 Vs*Csp 调整变压器共模有效电容的方法 Cadd x x 外加电容 改变屏蔽层面积 P S Up x Hot point Cps(x) Csp(x) P S Csp(d) d 改变绝缘层厚度 L r C r D 1 D 2 A B E F C sp 2 C sp 1 C o R o PE C i Q 2 Q 1 C r P P S1 S2 屏蔽层 r 如果Csp1=Csp2，则副边电位变化引起的共模噪声抵消 S1 S2 LLC电路副边噪声源影响噪声抵消技术 P 变压器共模耦合电容的测试方法 沿着绕组导体上的电压分布不均匀 原副边绕组之间有屏蔽 Cps Cab=Cps+Cshs Cab=Cps+Cshp//Cshs a b a b 网络分析仪/接收机等（两端口） output input Cps Cps Icm V LCR表/阻抗分析仪等（单端口） 磁性元件近场耦合效应 CM filter D2D choke Vo=48V Topo=PFC+PSFB fs(PFC stage)=89K fs(D2D stage)=74K DC/D