中频磁控和非平衡磁控放电特性及cr-dlc膜层制备研究-study on discharge characteristics of medium frequency magnetically controlled and unbalanced magnetically controlled discharge and preparation of cr - dlc film.docxVIP

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2018-09-10 发布于上海
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中频磁控和非平衡磁控放电特性及cr-dlc膜层制备研究-study on discharge characteristics of medium frequency magnetically controlled and unbalanced magnetically controlled discharge and preparation of cr - dlc film.docx

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中频磁控和非平衡磁控放电特性及cr-dlc膜层制备研究-study on discharge characteristics of medium frequency magnetically controlled and unbalanced magnetically controlled discharge and preparation of cr - dlc film

Classified Index: TG174 U.D.C.: 621.785 Dissertation for the Master Degree in Engineering DISCHARGE CHARACTERISTICS OF UNBALANCED MAGNETRON SPUTTERING TECHNIQUE AND MF MAGNETRON SPUTTERING TECHNIQUE AND PREPARATION OF CR-DLC FILMS Candidate: Zhang Peiran Supervisor: Prof. Tian Xiubo Academic Degree Applied for: Master of Engineering Specialty: Materials Processing Engineering Affiliation: School of Materials Science and Engineering Date of Defence: June, 2015 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文哈尔滨工业大学工学硕士学位论文 -I- -I- 摘要金属掺杂类金刚石薄膜具有高硬度、低摩擦系数、低磨损率等优点被广泛应用于抗摩擦领域中。传统磁控溅射存在靶材原子离化率低，反应磁控溅射中容易毒化，工作不稳定等问题。非平衡直流磁控溅射及中频脉冲磁控溅射由于可以解决传统磁控溅射中存在的问题成为制备 Cr-DLC 的有效方法。本文采用非平衡直流磁控溅射及中频脉冲磁控溅射两种磁控溅射技术，分别研究了两种技术在 Cr 靶条件下的放电特性，并对两种溅射技术下的放电特性进行对比。分别使用两种技术在相同的靶电流条件下制备 Cr-DLC 薄膜。研究了不同靶基距对 Cr-DLC 薄膜膜层形貌、相结构、摩擦磨损性能、膜基结合力及电化学腐蚀特性等的影响，并对比两种溅射技术制备的 Cr-DLC 薄膜的差别。中频脉冲磁控溅射技术放电特性结果表明，靶电压及基体电流随着气压的增加而降低；随着 N2 比例的增加，靶电压先降低后升高，基体电流值一直降低；随着 C2H2 比例的增加，靶电压先降低后升高，基体电流基本保持不变。非平衡直流磁控溅射技术放电特性结果表明，闭合场磁场位型较镜像场及非平衡场磁场位型更容易获得较高的基体电流值；在闭合场位型条件下，随着 N2 比例的增加，靶电压先降低后升高，基体电流值降低；随着 C2H2 比例的增加，靶电压升高，基体电流下降。两种磁控溅射技术放电特性对比表明，在相同的靶电流条件下，中频脉冲磁控溅射靶电压更高、靶功率更大。在 Ar:C2H2 比例相同的条件下，中频脉冲磁控溅射可以获得更高的基体电流值。 Cr-DLC 薄膜组织结构表明，在非平衡直流磁控溅射条件下，Cr-DLC 薄膜为柱状晶组织结构；随着靶基距的增加，薄膜厚度基本保持不变；薄膜中主要以非晶的漫散射峰及 Cr2C 的衍射峰位主，同时还发现了 Cr 的（110）峰。在中频脉冲磁控溅射条件下，Cr-DLC 薄膜为致密的柱状晶组织结构；随着靶基距的增加，薄膜厚度减小；薄膜主要以漫散射峰为主，呈现碳纳米晶结构。Raman 光谱表明两种磁控溅射技术制备的薄膜均为 DLC 薄膜。 Cr-DLC 薄膜性能测试表明，在非平衡直流磁控溅射条件下，Cr-DLC 薄膜具有较好的结合力，在靶基距为 80mm 时，结合力等级为 HF1；薄膜的摩擦系数随着靶基距的增加而增加；抗电化学腐蚀能力随着靶基距的增加而增加；在中频脉冲磁控溅射条件下，Cr-DLC 薄膜结合力等级为 HF4，但其摩擦系数及抗电化学腐蚀能力均优于在非平衡直流磁控溅射条件下制备的 Cr-DLC 薄膜。关键词：中频脉冲磁控溅射；非平衡直流磁控溅射；放电特性；Cr-DLC 薄膜 -II- -II- Abstract Metal containing diamond-like carbon coatings are widely used in anti-friction areas because of high hardness, resistance to friction and low wear rate. For conventional magnetron sputtering technology, the process is hampered by low deposition rates and the occurrence of arc events at the target, which a