（毕业设计论文）《Fe掺杂ZnO结构与光学性质研究》.doc

吉林大学学士学位论文 Fe掺杂ZnO结构与光学性质研究 指导教师 吉林大学物理学院 申请学位级别 学 士 学科专业名称 光学工程 论文提交日期 2011.5 论文答辩日期 培养单位 吉林大学物理学院 学位授予单位 吉林大学物理学院 答辩委员会主席 教授 摘要 ZnO是一种宽带隙的半导体材料，室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，具有优良的物理和化学性质，是目前光电子研究领域的热点。ZnO是一种具有优良压电、光电、气敏、压敏等性质的宽禁带半导体材料，在透明半导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器、高频压电换能器、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的应用．随着自旋电子学(spintronics)的发展，作为主要支撑材料的稀磁半导体(diluted magnetic semiconductors DMSs)得到了广泛关注．DMSs同时利用了电子的电荷属性和自旋属性，具有优异的磁、磁光、磁电性能，在高密度非易失性存储器、磁感应器、光隔离器、半导体集成电路、半导体激光器和自旋量子计算机等领域具有重要应用，已成为当今材料研究领域中的热点。ZnO基DMSs材料的研究还处于基础研究阶段，在材料制备方面的研究重点是通过物理或化学制备方法引入过渡金属(TM)离子取代锌离子(zn2+)实现其磁性，因为TM离子半径和Zn2+相差不大，容易进入ZnO的晶格；TM 3d电子轨道处于未填满状态，TM离子之间的自旋耦合交换作用或者通过电子(空穴)调节的自旋耦合交换作用可能是其磁性来源．研究较多的是co或者Mn掺杂的ZnO薄膜和低维纳米结构材料(纳米线、纳米带、纳米棒)，这些材料基本上都具有c轴(002)择优取向的特点，虽然对磁性的来源没有统一认识，部分研究已经得到室温铁磁性．相对而言，人们对多晶的ZnO：TM粉体研究较少，在磁性和光学性能方面，粉体与薄膜及低维纳米结构材料存在一定的差异．本文采用固相反应法，制备了ZnO：Fe粉体，研究了其光学性能。 关键词：氧化锌 Fe掺杂 固相反应 稀磁半导体 Abstract ZnO is a broadband gap of semiconductor materials, room temperature forbidden band width to 3.37 eV, excitons bound can reach 60 meV, has excellent physical and chemical properties, is currently photoelectron field of research hotspot. ZnO is a good piezoelectric, photoelectricity, gas sensor, pressure-sensitive properties of wide band gaps in semiconductor materials, transparent semiconducting, light emitting components and solar battery window materials, optical waveguide device, monochromatic field emission display, high-frequency piezoelectric transducers, surface acoustic components, micro sensors and low pressure sensitive resistors, etc. Can be widely used as spintronics spintronics) development, (as the main support materials of dilute magnetic semiconductor (diluted magnetic semiconductors DMSs) has been widely used both attention. DMSs electronic charge properties and s