（毕业设计论文）PZT铁电AlGaNGaNMgO脉冲激光沉积(PLD)硕士论文.docVIP

l PZT铁电薄膜与AlGaNGaN半导体异质结构的集成和性能研究 材料科学与工程， 2011， 硕士 【摘要】 电子信息系统对于微型化、单片化的不断追求,向电子薄膜及其集成器件的尺寸和功能性提出了更高的要求,促进了将氧化物功能材料以固态薄膜的形式与具有载流子输运能力的半导体集成方面的研究。PZT由于具有压电效应、热电效应以及自发极化效应等优异的性能,一直以来都是最受关注的铁电材料。GaN作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有高击穿场强、高热稳定性、高电子饱和漂移速度等出色的性能。GaN经过调制掺杂形成的AlGaN/GaN半导体异质结构,界面处产生具有很高载流子浓度和迁移率的二维电子气（2DEG）,成为了近些年来研究的热点。本文以PZT铁电薄膜与AlGaN/GaN半导体异质结构的集成为研究对象,并针对集成过程中遇到的晶格失配、生长工艺不兼容等问题,采用MgO作为缓冲层材料获得了沿（111）面高度择优取向生长的PZT薄膜,并通过微细加工,将集成体系制备成MFIS结构。经过电容-电压（C-V）和电流-电压（I-V）测试,对比并分析MFIS和MFS的电学性能。首先在与GaN具有相似晶体结构的Al2O3衬底上,优化PZT薄膜的生长工艺。XRD衍射结果表明,直...?更多还原 【Abstract】 The continuously pursuing of electronic information system on the miniaturization and monolithic has put forward higher request on the size and function of electronic film and its integration devices,therefore promoted the research on the integration of solid state oxide functional materials on semiconductor with carrier transport capacity.Due to its piezoelectric effect, thermoelectric effect, spontaneous polarization effect and etc., PZT has long been one of the most popular ferroelectric mate...?更多还原 【关键词】 HYPERLINK /kcms/detail/%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20search.aspx?dbcode=CMFDsfield=kwskey=PZT \t _blank PZT； HYPERLINK /kcms/detail/%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20search.aspx?dbcode=CMFDsfield=kwskey=%e9%93%81%e7%94%b5 \t _blank 铁电； HYPERLINK /kcms/detail/%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20search.aspx?dbcode=CMFDsfield=kwskey=AlGaN%2fGaN \t _blank AlGaN/GaN； HYPERLINK /kcms/detail/%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20search.aspx?dbcode=CMFDsfield=kwskey=MgO \t _blank MgO； HYPERLINK /kcms/detail/%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20search.aspx?dbcode=CMFDsfield=kwskey=%e8%84%89%e5%86%b2%e6%bf%80%e5%85%89%e6%b2%89%e7%a7%af(PLD) \t _blank 脉冲激光沉积(PLD)； 【Key words】 HYPERLINK /kcms/detail/%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20search.aspx?dbcode=CMFDsfield=kwskey=PZT \t _blank PZT； HYPERLINK /kcms/detail/%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20%20search.aspx?dbcode=CMFDsfield=kwskey=ferroelectric \t _blank ferroe