生物分离工程第十一节 结晶.pptVIP

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  • 2018-09-14 发布于湖北
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为了简化方程的应用,可以假定晶体在各个方向的生长速率相同,这样就可以任意选择某一方向矢量的变化,来衡量晶体体积的变化,公式就可以简化为: l:特性晶体长度;m:单晶质量;ρ:单晶密度;A:单晶面积 影响晶体生长速度的因素 杂质:改变晶体和溶液之间界面的滞留层特性,影响溶质长入晶体、改变晶体外形、因杂质吸附导致的晶体生长缓慢; 搅拌:加速晶体生长、加速晶核的生成; 温度:促进表面化学反应速度的提高,增加结晶速度; 晶体纯度计算 β—分离因素 Ep—结晶因素,晶体中纯的量与其在滤液中的量的比值 Ei—结晶因素,晶体中杂质的量与其在滤液中的量的比值 晶体按其内部结构可分为7大晶系(三斜晶系、单斜晶系、正交晶系、四方晶系、立方晶系、三方晶系、六角晶系)和14种晶格类型。晶体都有一定的对称性,有32种对称元素系,对应的对称动作群称做晶体系点群。 按照内部质点间作用力性质不同,晶体可分为离子晶体、原子晶体、分子晶体、金属晶体等4大典型晶体。 晶体大小分布 晶体群体密度 结晶过程中产生的晶体大小不是均一的。因此,需要引入群体密度的概念来加以描述: N—单位体积中含有颗粒尺寸从0~l(粒度)的各种大小晶体的数目 连续结晶过程的晶群密度分布 是分析连续结晶器操作过程的最佳近似法 n—晶群密度 no— 粒度l趋近于0时的晶群密度 Q—晶浆流出速率 V—结晶器有效装液容积 晶体大小 Q—晶浆流

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