第四章薄膜的物理气相沉积ⅱ溅射法.pptxVIP

第四章 薄膜制备技术-溅射法;第四章 薄膜制备技术-溅射法;靶材是需要被溅射的物质，作为 阴极，相对阳极加数千伏电压， 在真空室内充入Ar气，在电极间形成辉光放电。 辉光放电过程中，将产生Ar离子，阴极材料原子，二次电子，光子等。 ;等离子体 等离子体是一种中性、高能量、离子化的气体，包含中性原子或分子、原子团、带电离子和自由电子。 作用： 1、提供发生在衬底表面的气体反应所需要的大 部分能量 2、通过等离子刻蚀选择性地去处金属 ;?产生辉光放电 通过混合气体中加直流电压、或射频电压，混合气体中的电子被电场加速，穿过混合气体，与气体原子或分子碰撞并激发他们，受激的原子、或离子返回其最低能级时，以发射光（或声子）的形式将能量释放出来。 不同气体对应不同的发光颜色。 ;;CHF2 radical;直流电源E, 提供电压V和电流I则 V = E - IR。 1、辉光放电过程包括 初始阶段AB：I=0 无光放电区 汤生放电区BC：I迅速增大 过渡区CD：离子开始轰击阴极，产生二次电子，又与气体分子碰撞产生更多离子 辉光放电区DE：I增大，V恒定 异常辉光放电区EF：溅射所选择的工作区 弧光放电：I增大，V减小 弧光放电区FG：增加电源功率，电流迅速增加 ; 2、辉光放电区域的划分 阴极辉光； 阴极暗区； 负辉光区；法拉第暗区； 阳极柱；阳极暗区；阳极辉光 暗区是离子和电子从电场中获取能量的加速区，辉光区相当于不同粒子发生碰撞、复合、电离的区域。 ;4.2 物质的溅射现象;一、溅射的产额： 被溅射出来的原子个数与入射离子数之比。它与入射能量，入射离子种类，溅射物质种类及入射离子的入射角度有关。;入射离子能量的影响 只有入射离子能量超过一定阈值以后，才能从被溅射物质表面溅射出离子，阈值能量与入射离子的种类关系不大，与被溅射物质的升华热有一定比例关系 随入射离子能量的增加，溅射产额先增加，然后处于平缓（10Kev)，离子能量继续增加，溅射产额反而下降;2 入射离子的种类和被溅射物质的种类 通常采用惰性气体离子来溅射，由图3.7知，重离子的溅射产额比轻离子高，但考虑价格因素，通常使用氩气作为溅射气体。 用相同能量的离子溅射不同的物质，溅射产额也是不同的，Cu, Ag, Au产额高，而Ti, W, Mo等产额低。;4.2 物质的溅射现象;合金的溅射和沉积： 溅射法的优点所制备的薄膜的化学成分与靶材基本一致。 自动补偿效应：溅射产额高的物质已经贫化，溅射速率下降，而溅射产额低的物质得到富集，溅射速率上升。;4.3 溅射沉积装置;一、直流溅射装置及特性;一、直流溅射装置及特性;一、直流溅射装置及特性;三极溅射 在低压下，为增加离化率并保证放电自持，方法之一是提供一个额外的电子源将电子注入到放电系统中。;二、射频溅射装置及特性 ;二、射频溅射装置及特性;二、射频溅射装置及特性;二、射频溅射装置及特性;三、磁控溅射装置及特性 ;三、磁控溅射装置及特性;三、磁控溅射装置及特性;三、磁控溅射装置及特性;三、磁控溅射装置及特性;四、反应溅射装置及特性 ;四、反应溅射装置及特性;四、反应溅射装置及特性;四、反应溅射装置及特性;五、偏压溅射装置及特性 ;六、离子束溅射;六、离子束溅射;六、离子束溅射;4.3 溅射沉积装置;作业;1．解释下列名词：互连、接触、通控和填充塞 2．列出并描述金属用于硅片制造的7种要求 3．列出用于半导体制造业的金属和合金的种类 4．讨论电迁徙是怎样影响稳定性的 5．列出并讨论引入铜金属化的五大优点？ 6．互连金属转向铜时所面临的三大主要挑战是什么？ 7．什么是阻挡层金属，阻挡层材料的基本特性是什 么？那种金属常被用作阻挡层金属？ 8．定义硅化物，并解释难溶金属硅化物在硅片制造业 中重要的原因？