第一章三极管1.pptxVIP

第1 章 半导体1.2 三极管及基本放大电路1.2.1 晶体三极管的结构 工作原理 管脚排列方式1.2.2 晶体三极管的特性曲线参数及检测1.2.3 放大器的一般概念1.2.4 基本放大电路 半导体三极管又称为晶体三极管，后面简称为晶体管，它与二极管一样也是非线性器件，但其主要特性上是截然不同。二极管主要是单向导电性，而晶体管的主要特性与其工作模式有关。当三极管工作在放大模式时，它对信号的电流、电压具有放大作用，从而构成放大器；当三极管工作在饱和和截止模式时，它相当于一个受控开关，从而构成无触点开关电路。1.2.1 晶体三极管的结构 工作原理 管脚排列方式1.晶体三极管的结构 在一个极薄的硅或锗的基片上制造出三个掺杂区（三层半导体）形成两个PN结，就构成了晶体管。从三层半导体上各接出一个引线，就是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了三极管。 三个电极分别叫发射极E、基极B、集电极C，对应的每层半导体分别称为发射区、基区、集电区。发射区与基区交界处的PN结叫发射结，集电区与基区交界处的PN结叫集电结。依据基区材料是P型还是N型半导体，三极管有NPN型和PNP型两种类型。它们的基本结构及符号如图所示。2.工作原理 当三极管的发射结作用正向电压（又称正向偏置）而集电结作用反向电压时，三极管的基极电流对集电极电流有控制作用。IB=0发射结反偏IB≠0发射结正偏IB≠0集电结正偏IB=0集电结反偏IB=0两个PN结总有一个反偏UBBUCC，IB≠0 IC≠0发射结和集电极正偏，IC不受IB控制。UBBUCC，IB≠0 IC≠0发射结正偏，集电极反偏，IC受IB控制。2.工作原理 当三极管的发射结作用正向电压（又称正向偏置）而集电结作用反向电压时，三极管的基极电流对集电极电流有控制作用。1)晶体管内部载流子的运动 （1）因为发射结正偏，又因为发射区杂质浓度高，所以发射区向基区扩散（注入）大量电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。IBN （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。（3）因为集电结反偏，且结面积较大，收集扩散到集电区边缘的电子形成漂移电流ICN 。 另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。IBN它们共同形成集电极电流IC。IBN2） 晶体管的电流分配关系IE=IEN+IEP=ICN+IBN+IEPIC=ICN+ICBOIB=IBN+IEP－ICBO 从外部看IE=IC+IBIE－扩散运动形成的电流IB－复合运动形成的电流IC－漂移运动形成的电流3）共射电流放大系数定义：共射直流（静态）电流放大系数共射交流（动态）电流放大系数3.管脚排列方式有几种方式管脚以等腰三角形排列管脚呈一字形排列大功率三极管1）管脚以等腰三角形排列：顶点为B，左为E，右为C。2）管脚呈一字形排列：中间为B，短远为C，剩为E。3）大功率三极管：壳体为集电极C管脚；或最远为集电极管脚。 半导体三极管的型号用字母表示同一型号中的不同规格用数字表示同种器件型号的序号用字母表示器件的种类用字母表示材料三极管国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：3DG110B第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管1.2.2 晶体三极管的特性曲线参数及检测%特性曲线%晶体管的检测1.晶体三极管的特性曲线测量电路以共射放大电路为例。1）输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=const也存在死区（1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。（2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。（3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。因为集电结的电场已足够强，iC基本不变，故iB也基本不变。 2） 输出特性曲线iC=f (uCE)? iB=const 现以iB=60μA一条加以说明。 （1）当uCE=0 时，因集电极无收集作用，iC=0。（2） uCE ↑ → iC ↑ 。 （3） 当uCE ＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电区收集，形成iC。所以uCE再增加，iC基本保持不变。同理，可作出iB=其他值的曲线。 截止区 输出特性曲线分为四个区域:截止区 :发射结、集电结处于反偏失去电流放大作用, iB=0 iC≈0晶体管C、E之间相当于开路uBE≤Uon放大区:发射结正偏,集电结反偏有电流放大作用 输出曲线具有恒流特性uBEUo