模电04三极管bjt.pptxVIP

交、直流放大电路双极结型三极管BJTCh.4分立元件场效应管FETCh.5集成器件集成运算放大电路Ch.6其它专门电路功率放大电路Ch.8放大电路中的反馈Ch.7第四章 双极结型三极管及放大电路基础（P101～185）4.1 BJT4.2 基本共射极放大电路4.3 放大电路的分析方法4.4 放大电路静态工作点的稳定问题4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路4.6 组合放大电路4.7 放大电路的频率响应*4.8 单级放大电路的瞬态响应*第四章 双极结型三极管及放大电路基础（P101～185）基本要求： （了解、理解、掌握）1、了解BJT的放大原理及输入输出的特性曲线；2、掌握BJT放大电路的三种组态的组成、工作原理及特点；3、掌握静态、动态性能指标的分析计算（包括图解分析法和小信号模型分析法）；4、掌握多级放大电路的分析计算；5、掌握放大电路频率响应的分析方法。*4.1 BJT4.1.1 BJT的结构简介4.1.2 放大状态下BJT的工作原理4.1.3 BJT的V-I 特性曲线4.1.4 BJT的主要参数4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响4.1.1 BJT的结构简介BJT: Bipolar Junction Transistor双极结型三极管：有自由电子和空穴两种极性的载流子参与导电。(a) 小功率管(b) 小功率管(c) 大功率管(d) 中功率管发射结(Je) 集电结(Jc)1.结构两个背靠背的PN结——三个电极、三层半导体、两个结。分类:NPN型和PNP型。符号中，发射极上的箭头表示发射结加正偏电压时，发射极电流的实际方向。集电极用c表示(Collector) 发射极用e表示(Emitter)基区集电区 发射区 基极用b表示(Base)三极管符号管芯结构剖面图2.结构特点集成电路中典型NPN型BJT的截面图? 发射区e掺杂浓度最高；? 集电区c掺杂浓度低于发射区，且面积大；? 基区b最薄，且掺杂浓度最低。所以，发射区和集电区不是电对称的。cbecbe4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 BJT中有两个PN结，每个PN结有正偏、反偏两种工作状态，所以BJT在工作中有四种工作状态： 放大、饱和、截止、倒置。放大状态的外部条件： e结正偏，c结反偏iB、iC 流入电极；iE流出电极。NPN 管:iB、iC 流出电极；iE流入电极。PNP 管:以下以NPN型管为例进行分析复习P型半导体中，多子是？少子是？N型半导体中，多子是？少子是？PN结正偏时，主要是什么形成的电流？什么电流可忽略？PN结反偏时，主要是什么形成的电流？什么电流可忽略？放大状态下BJT中载流子的传输过程1.内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 1）e结正偏扩散电流为主IEN大，IEP小；共同形成IE，大小受vBE影响。2）c结反偏漂移电流为主ICN大，ICBO小；共同形成IC。其中温度一定时，ICBO值恒定（由各三极管的实际掺杂浓度决定），不受IEN影响，从而也不受vBE影响。放大状态下BJT中载流子的传输过程1.内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 1）e结正偏扩散电流为主2）c结反偏漂移电流为主3）b区 电子从e区到c区途经b区，被b极拉走一部分IE=IB+ IC电流关系： IC= ICN+ ICBO ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。2. 电流分配关系设放大状态下BJT中载流子的传输过程 ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。2. 电流分配关系3. 三极管的三种组态BJT的三种组态(a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；(b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；(c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。4.1.3 BJT的V-I 特性曲线BJT的伏安特性曲线：直观的描述各极间电压与各极间电流之间的关系。对于任何组态，均可将BJT视为二端口网络：输入回路，输出回路。要完整的描述BJT的伏安特性，应选用两组曲线：1、输出端条件一定时，输入端的电压电流关系曲线2、输入端条件一定时，输出端的电压电流关系曲线显然，不同的组态，输入输出端口不同，特性曲线也不同。其中，共集与共射组态的特性曲线类似。共射极连接4.1.3 BJT的V-I 特性曲线（以共射极放大电路为例）1. 输入特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const. (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE