模拟电子技术基础 第四章 1双极结型三极管及放大 电路基础.pptxVIP

4.1 半导体三极管4.1.1 BJT的结构简介4.1.2 放大状态下BJT的工作原理4.1.3 BJT的V－I特性曲线4.1.4 BJT的主要参数4.1.1 BJT的结构简介(a) 小功率管(b) 小功率管(c) 大功率管(d) 中功率管4.1.1 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。(a) NPN型管结构示意图(b) PNP型管结构示意图(c) NPN管的电路符号(d) PNP管的电路符号4.1.1 BJT的结构简介集成电路中典型NPN型BJT的截面图放大状态下BJT中载流子的传输过程4.1.2 放大状态下BJT的工作原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏 集电结反偏 由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 1. 内部载流子的传输过程发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。2. 电流分配关系根据传输过程可知IE=IB+ IC IC= InC+ ICBO通常 IC ICBO放大状态下BJT中载流子的传输过程根据 IC= InC+ ICBOIE=IB+ ICICEO= (1+ ? ) ICBO（穿透电流） ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。2. 电流分配关系且令3. 三极管的三种组态BJT的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。若?vI = 20mV使?iE = -1 mA，当? = 0.98 时，则?iC = ? ?iE = -0.98 mA，4. 放大作用共基极放大电路?vO = -?iC? RL = 0.98 V，电压放大倍数 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。共射极连接4.1.3 BJT的V-I 特性曲线1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例） iB=f(vBE)? vCE=const(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。4.1.3 BJT的V-I 特性曲线2. 输出特性曲线iC=f(vCE)? iB=const输出特性曲线的三个区域:饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 (1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const与iC的关系曲线 4.1.4 BJT的主要参数1. 电流放大系数(2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。4.1.4 BJT的主要参数1. 电流放大系数 (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE?vCB=const4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 ICEO=（1+）ICBO 4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO 4.1.4 BJT的主要参数 3. 极限参数(1) 集电极最大允许电流ICM(2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 4.1.4 BJT的主要参数 3. 极限参数(3) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极