模拟电子技术康华光第4章双极型三极管及放大电路基础1.pptxVIP

第4章 半导体三极管及放大电路基础§4.1 半导体三极管（BJT—双结晶体管）半导体三极管: 是具有电流放大功能的元件三极管分类：按频率：高频管、低频管按功率：小、中、大功率管按材料：硅管、锗管按类型：NPN型、PNP型PNP型发射极集电极NPNPPN基极eecccciCbbiCbbiBiBiEiEee4.1.1 基本结构发射极NPN型集电极基极NPN型三极管符号PNP型三极管符号集电极电流发射极电流发射极箭头表示：当发射结正偏时，电流的流向。集电极cN基极PbNe发射极BJT结构特点：集电区：面积最大基区：最薄，掺杂浓度最低集电结Jc发射结Je发射区：掺杂浓度最高问题：c、e两极可否互换？管芯结构剖面图BJT结构剖面图：? 发射区的掺杂浓度最高；? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。☆三极管的基本接法共发射极接法：e作为公共端；b为输入端，c为输出端；共集电极接法：c作为公共端；b为输入端，e为输出端； 共基极接法：b作为公共端，e为输入端， c为输出端。cRCNRBPbNECEBe4.1.2 BJT的电流分配和放大原理1. 三极管放大的条件在三极管内部：发射结正偏、集电结反偏从外部的电位看： NPN 管 发射结正偏 ：VBVE（EB来实现）集电结反偏：VCVB （EC来实现） 即 VCVBVE共射放大电路组成PNP管发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB即VCVBVE4.1.2 BJT的电流分配与放大原理 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 2. 内部载流子的传输过程（以NPN为例）发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制 载流子IE=IB+ IC放大状态下BJT中载流子的传输过程3.三极管电流分配关系 ?、? 为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? ?1，?≈几十。☆ 4.三极管的电流分配关系总结（1）IE＝IC＋ IB（2）（3） （4）（5）电流放大系数4.1.3 BJT的特性曲线IC1. 共发射极电路mAIBc+b?A++VCEeVC C RB–VBE输入回路输出回路–––+VBB　发射极是输入回路、输出回路的公共端 注意：T的类型与VBE、IB、VCE、IC极性+iCvCEciBvCE = 0VvCE = 0VvCE ? 1Vb-+vBEe-VCCVBB共射极放大电路1. 输入特性曲线（以共射极放大电路为例） iB=f (vBE)? vCE=常数(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE 下 IB减小，特性曲线右移。(3) 输入特性曲线的三个部分①死区 ②非线性区③线性区 结论：整体是非线性的，局部可看作是线性的iC(mA)100?A480?A360?A240?A1O36129vCE(V)2. 输出特性+输出特性曲线通常分三个工作区：RLcbe-(1) 放大区 在放大区有 iC=? iB ，也称为线性区，具有恒流特性。放大区 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。20?AIB=0iC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AiB=0O36129vCE(V)（2）截止区iB ＝0 以下区域为截止区，有 iC =ICEO? 0 。 在截止区发射结Je处于反向偏置，集电结Jc处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。（3）饱和区饱和区 当vCE? vBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管vCES ? 0.3V， 锗管vCES ? 0.1V。VCES截止区☆ 输出特性三个区域的特点:放大区：Je正偏，Jc反偏； IC=?IB , 且 ? iC = ? ? iB； VCVBVE。(2) 饱和区:Je正偏， Jc正偏 ；即vCE?vBE ，vCE?0.3V ； iC ?iB 。(3) 截止区:Je反偏或零偏 ，VBE Vth? 0， iB=0 ， iC=ICEO ?0 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。+-+-正偏正偏反偏反偏-++- 放大,硅管饱和截止例1：若将3.3V改为3.7V呢?放大VcVbVe放大VcVbVe例2： 图中已标出各硅晶体管电极的电位，判断晶体管的状态。放大饱和截止 V