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* * 零偏:p区和n区费米能级拉平在一条线上,整个结中没有电流流过。 * * * * 参考文献5 Figure 1 Sketch of a possible MER AM element. The binary information is stored by the magnetization direction of the bottom ferromagnetic layer (blue), read by the resistance of the magnetic trilayer (Rp when the magnetizations of the two ferromagnetic layers are parallel), and written by applying a voltage across the multiferroic ferroelectric– antiferromagnetic layer (FE -AFM; green). If the magnetization of the bottom ferromagnetic layer is coupled to the spins in the multiferroic (small white arrows) and if the magnetoelectric coupling is strong enough, reversing the ferroelectric polarization P in the multiferroic changes the magnetic configuration in the trilayer from parallel to antiparallel, and the resistance from Rp to antiparallel (Rap). A hysteretic dependence of the device resistance with voltage is achieved (blue curve). * 参考文献5 Figure 1 Sketch of a possible MER AM element. The binary information is stored by the magnetization direction of the bottom ferromagnetic layer (blue), read by the resistance of the magnetic trilayer (Rp when the magnetizations of the two ferromagnetic layers are parallel), and written by applying a voltage across the multiferroic ferroelectric– antiferromagnetic layer (FE -AFM; green). If the magnetization of the bottom ferromagnetic layer is coupled to the spins in the multiferroic (small white arrows) and if the magnetoelectric coupling is strong enough, reversing the ferroelectric polarization P in the multiferroic changes the magnetic configuration in the trilayer from parallel to antiparallel, and the resistance from Rp to antiparallel (Rap). A hysteretic dependence of the device resistance with voltage is achieved (blue curve). * 参考文献9: Figure 1 The schematic illustration of the Co/PZT memory cell. * 参考文献5 Figure 1 Sketch of a possible MER AM element. The binary information is stored by the magnetization direction of the bottom ferromagnetic layer (blue), read by th
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