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- 2018-09-19 发布于天津
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国家标准硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法预审稿编制说明工作简况立项目的和意义硅片是半导体制造业的基础材料由于硅片表面极其少量的金属污染都有可能导致器件功能失效或可靠性变差硅片在制作使用过程中的金属杂质控制极为重要硅片表面污染测试既是硅片制造过程中必不可少的监控手段也是提升后道器件性能的重要方法与指标电感耦合等离子体质谱分析法通过不断革新已具备出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力已被成熟使用多年亟需制定相关产品标准任务来源根据国家标准委关于下达年第四批国家标准制修订计划的通
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国家标准《硅片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》
(预审稿)编制说明
工作简况
立项目的和意义
硅片是半导体制造业的基础材料,由于硅片表面极其少量的金属污染都有可能导致器件功能失效或可靠性变差,硅片在制作使用过程中的金属杂质控制极为重要,硅片表面污染测试既是硅片制造过程中必不可少的监控手段,也是提升后道器件性能的重要方法与指标。电感耦合等离子体质谱分析法通过不断革新,已具备出的超痕量级检测性能和多元素同时快速分析能力,已被成熟使用多年,亟需制定相关产品标准。
任务来源
根据《国家标准委关于下达2017年第四批国家标准制修订计划的通知》(国标委综合[2
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