2-半导体材料特性(自学为主)_图文.ppt

半导体材料在其本征状态是不能用于固态元件的。但是通过一种叫做掺杂的工艺，可以把特定的元素引入到本征半导体材料中。这些元素可以提高本征半导体的导电性。 掺杂是通过加入某种元素到纯硅中以明显增加半导体导电性的过程。 掺杂时加入的元素称为掺杂剂或杂质。 掺杂硅：又称非本征硅。 掺杂的材料表现出两种独特的特性，它们是固态器件的基础。这两种特性是： （1）通过掺杂精确控制电阻率； （2）电子和空穴导电。 硅的掺杂 P Si Si Si Si Si Si P P P P 掺杂剂滴头 硅片 掺杂层 掺杂原子扩散进硅中 淀积步骤 推进与扩散步骤 硅片衬底 激活步骤 把在半导体材料中形成P型导电的掺杂剂叫做受主(acceptor)。 在半导体材料中形成N型导电的掺杂剂叫做施主(donor)。 III族 (p型) 硼 5 铝 13 镓 31 铟 49 Group IV 碳 6 硅 14 锗 32 锡 50 V族 (n-型) 氮 7 磷 15 砷 33 锑 51 受主杂质 施主杂质 半导体 * 带下划线的元素是硅集成电路中最常用到的 硅掺杂材料 掺杂硅的电阻率与掺杂程度的关系（把材料中的电子或空穴叫做载流子。纵坐标为载流子浓度。） 图中有两条曲线：N型与P型。这是因为在材料中移动一个电子或空穴所需的能量是不同的（移动一个电子比移动一个空穴所需的能量要小 ）。如图所示，在硅中要达到指定的电阻率，N 型所需掺杂的浓度要比 P 型小。 杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.5×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 N型半导体 为理解N型半导体，下面以 N型硅 为例。如下图所示，将很少量的砷（As）掺入硅（Si）中。假定混合后每一个砷原子也被硅原子所包围。 原子试图通过在外层有8个电子来达到稳定。这时，砷原子表现为与其邻近的硅原子共享 4 个电子。 但是，砷来自第 V 族，外层有 5 个电子，直接的结果是其中的 4 个电子与硅中的电子配对，最后一个留下来。这一个电子可以作为传导电子。 n型硅中的自由电子流 自由电子流向正极 电源正极 电子流动 电源负极 P型半导体 P型半导体与N型半导体类似。下面以 P型硅 为例。我们使用来自元素周期表中第III族的硼（B）来形成 P型硅。 当硼混入硅中，它也与硅原子共享电子。不过，硼只有3个外层电子，所以在外层会有1个无电子填充的位置。这个未填充的位置就叫做空穴。 在掺杂的半导体材料中有很多的活动：电子和空穴不停地形成。电子会被吸人未填充的空穴，从而留下一个未填充的位置，也就是另一个空穴。看起了就好像是空穴在移动。 空穴是P型硅中的主要载流子 在电路中，人们对载流子（空穴和电子）移动所需的能量和其移动的速度，都感兴趣。移动的速度叫做载流子迁移率，空穴比电子迁移率低。 在为电路选择特定半导体材料时，这是个非常值得考虑的重要因素。 对导体、绝缘体、半导体的电特性进行一个总结 化合物半导体 有很多半导体化合物由元素周期表中第Ⅱ族、第III族、第IV族 和 第 VI 族的元素形成。 在这些化合物中，商业半导体器件中用得最多的是砷化镓( GaAs )、磷砷化镓( GaAsP )、磷化铟( InP )、砷铝化镓( GaAlAs )和 磷镓化铟( InGaP )。 这些化合物有一些特定的性质。例如，当电流激活时，由砷化镓和磷砷化镓做成的二极管会发出可见的激光。这些材料可用于电子面板中的发光二极管( LED )。 砷化镓 砷化镓的优点： 高迁移率，速度快 寄生和信号损耗小 电阻率高，隔离好 抗辐射性能好 砷化镓 砷化镓的缺点： 缺乏天然氧化物 材料的脆性 镓相对匮乏，提纯能量消耗大，成本高 砷的