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激发频率对硅烷等离子体放电参数的影响 庄娟 王德真 大连理工大学 物理与光电工程学院 三束材料改性国家重点实验室 RHF-PECVD理论模型的建立 一维自洽流体模型 利用有限差分方法，对各种粒子的连续性方程、动量方程和电流平衡方程进行联立求解 电子密度、离子密度的时空演化 粒子的连续性方程 粒子的动量方程 负离子密度随频率变化 电子密度随频率变化 正离子密度随频率变化 结 论 （1）频率增加，SiH3-密度增加 （2）频率增加,电子密度和SiH3＋密度增加 （3）频率增加,电场强度降低 （4）控制纳米粒子的种子粒子SiH3-密度，可以改 变纳米粒子的密度 第十三届全国等离子体科学技术会议 是粒子 的密度和流密度 和 相应于电子、正离子和负离子 边界条件： 初始条件： ， ， 电流连续性方程 尘粒种子SiH3- 的密度随频率 增加而增加， 纳米尘粒密度 增加。 沉积速率提高 频率增加,等离子体中电子密度增加，电子与硅烷气体分子碰撞频率增加, SiH3-和SiH3＋ 数量增加,沉积速率相应增加 。 正离子有比较高的速度，被加速离开等离子体，这些粒子的快速失去，避免它们在鞘层中进一步生长成大粒子。有利于纳米尘埃粒子的沉积。 电场随频率变化 频率增加电场强度降低。氢 原子和离子能量降低,对薄膜 表面的轰击作用 减少，有利薄膜生长。 f=50MHz f=1