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Manufacture and It High Frequency Magnetic Property of CoZrNb Magnetic
Film for GHZ Si-Integrated Inductor
中图分类号:TM55 文献标识码:B 文章编号:1606-7517(2014)02-3-146
πM H
ρρ
f
Q L
溅射法,并设计了一种大型的矩形靶(635mm×127mm×3mm),
以保证在直径 100mm 的基片上沉积出厚度均匀的磁膜。溅
射过程中的基压和 Ar 溅射气压分别取 1×10-7mbar 和
5×10-3mbar。为了兼顾后续的加工工艺需要,采用了直径
L Q
为100mm 的硅晶片作基片。为此,设计了一种特殊的该基
片的支承工具,其特点是具有监控移动能力。基片无需经
过水冷。加工中的动态操作包括:用上术支承工具在靶子
(面朝上)上面连续移动基片(面朝下),这类技术不采用
永磁体(或线圈),以此保证磁膜具有单轴各向异性。这是
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和传统的静态溅射沉积技术的区别之所在。图1示出了磁
f πM
H
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