用于GHZ级硅集成电感器CoZrNb类磁膜制造和高频性能.PDFVIP

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Manufacture and It High Frequency Magnetic Property of CoZrNb Magnetic Film for GHZ Si-Integrated Inductor 中图分类号:TM55 文献标识码:B 文章编号:1606-7517(2014)02-3-146 πM H ρρ f Q L 溅射法,并设计了一种大型的矩形靶(635mm×127mm×3mm), 以保证在直径 100mm 的基片上沉积出厚度均匀的磁膜。溅 射过程中的基压和 Ar 溅射气压分别取 1×10-7mbar 和 5×10-3mbar。为了兼顾后续的加工工艺需要,采用了直径 L Q 为100mm 的硅晶片作基片。为此,设计了一种特殊的该基 片的支承工具,其特点是具有监控移动能力。基片无需经 过水冷。加工中的动态操作包括:用上术支承工具在靶子 (面朝上)上面连续移动基片(面朝下),这类技术不采用 永磁体(或线圈),以此保证磁膜具有单轴各向异性。这是 f 和传统的静态溅射沉积技术的区别之所在。图1示出了磁 f πM H f

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