热电性质与四点探针方法.pptVIP

實驗一 熱電性質與四點探針方法 Outline 實驗原理 晶片清洗方法與步驟 由晶片形狀判別雜質型別和方向性 熱電效應 四點探針的理論與量測 四點探針公式推導 實驗步驟 實驗原理 晶片清洗的方法與步驟 在晶片製造上，晶片清冼是每一個製程步驟所須之必要程序，其目的在使晶片表面之污染物儘可能的降低，使得元件獲得良好而穩定之特性以及製程良好之再現性。 污染物的來源與性質 分子性 如蠟、脂、油此類污染物易使晶片表面導致斥水性，而 將離子性污染物覆蓋住，不易清洗，使產品受到損失。 離子性 晶片在氫氟酸(HF 水溶液)或其他蝕刻液浸蝕過甚至於去 離子水中浸洗過而附著於上面的。 原子性 由蝕刻酸液造成，過渡金屬如金鉑銅等與矽原子反應還 原而鍍於晶片表面，影響半導體之各項性質。 粒狀非均勻態 矽顆粒?碎片、無機顆粒、纖維屑等。 清洗方法 蝕刻法 乾式蝕刻和濕式蝕刻 溶解法 利用適當溶劑溶解附於晶片表面之溶質(雜質)。此法之應用以 極性漸近