PHKD3NQ10T，518;中文规格书，Datasheet资料.pdfVIP

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2018-09-18 发布于未知
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PHKD3NQ10T，518;中文规格书，Datasheet资料.pdf

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PHKD3NQ10T Dual N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 — 16 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits Low conduction losses due to low Suitable for use in compact designs on-state resistance due to low profile Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics 1.3 Applications DC-to-DC converters Motor and relay drivers 1.4 Quick reference data Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit V drain-source voltage T ≥25 °C; T ≤ 150 °C - - 100 V DS j j ID drain current Tsp = 25 °C; One MOSFET - - 3 A conducting