基础1mos结构,cv特性.pptxVIP

11.1　双端ＭＯＳ结构 11.2　电容－电压特性 11.3　ＭＯＳＦＥＴ基本工作原理 11.4　频率限制特性 11.5　ＣＭＯＳ技术 11.6　小结;11.1 双端MOS结构;11.1 MOS电容 MOS电容结构;实际的铝线-氧化层-半导体（M:约10000A O:250A S:约0.5~1mm）;11.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(1);11.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(2);11.1 MOS电容 表面能带图:n型衬底(1);11.1 MOS电容 表面能带图:n型衬底(2);小节内容;11.1 MOS电容 空间电荷区厚度:表面耗尽情形;11.1 MOS电容 空间电荷区厚度:表面反型情形;11.1 MOS电容 空间电荷区厚度:n型衬底情形;11.1 MOS电容 空间电荷区厚度:与掺杂浓度的关系;小节内容;11.1 MOS电容 功函数差:MOS接触前的能带图;11.1 MOS电容 功函数差:MOS结构的能带图;11.1 MOS电容 功函数差:计算公式;11.1 MOS电容 功函数差:n＋掺杂多晶硅栅(P-Si);11.1 MOS电容