电流源和电压源电路.pptx

电流源电流源是电路的基本元件，它是一种二端元件。电流源的内阻相对负载阻抗很大，负载阻抗波动不会改变电流大小。在电流源回路中串联电阻无意义，因为它不会改变负载的电流，也不会改变负载上的电压。在原理图上这类电阻应简化掉。负载阻抗只有并联在电流源上才有意义，与内阻是分流关系。　　由于内阻等多方面的原因，理想电流源在真实世界是不存在的，但这样一个模型对于电路分析是十分有价值的。实际上，如果一个电流源在电压变化时，电流的波动不明显，我们通常就假定它是一个理想电流源。电流源的基本性质电流源有两个基本性质：(1)它发出的电流是定值，或是一定的时间函数，与两端的电压无关。(2)电流源的电流是由它本身确定的，至于它两端的电压则是任意的。基区宽度调制效应　这是BJT在较大工作电压时所出现的一种现象。因为BJT在放大状态工作时，集电结上的反偏电压（直流电压+交流电源）是变化的，则集电结的势垒厚度也将随着变化，这就会导致基区宽度发生变化；这种由集电结电压而引起基区宽度发生变化的现象，最早是由Early提出并加以说明的，故称为Early效应（爱里效应），又称为基区宽度调制效应。势垒就是势能比附近的势能都高的空间区域，基本上就是极值点附近的一小片区域。VCCiC2= IOIRRiC1T1T2 电流源电路是提供恒定电流的一类电子线路，它广泛应用于各种功能电路中。对电流源电路的要求：1、提供电流 IO ，并且其值在外界环境因素（温度、电源电压等）变化时，力求维持稳定不变。2、当其两端电压变化时，应该具有保持电流 IO 恒定不变的恒流特性，或者说电流源电路的交流内阻 RO趋于无穷。一、镜像电流源电路1、基本镜像电流源电路：如图所示电路结构：T1 与 T2 应该选取参数完全匹配的晶体三极管。VCCiC2= IOIRRiC1T1T2其中，T1 的集电极和基极相连，接成二极管的形式，并且由VCC 通过R 提供电流 IR 。分析：（1）、精度和热稳定性根据电路有：当忽略基区调制效率应时：或表示为所以上式可等效为当时当时，由于而 IS 与发射结面积成正比，因此有则由此式可以看出T1管的电流I1 等值得转移到 T2 管中。 T1 管电流 I1 则加权地转移到 T2 管中，加权因子为发射结面积比值。当若T1 与 T2 的参数完全匹配，VCC时：iC2= IOIRiC1T1T2根据电路还可知：已知所以故 显然，IR 是由 VCC 通过 R 提供的，它是电流源电路的参考电流，只要 IR 确定后，IO 也就被确定。只有当时 从此式可以看出：它们之间不是严格满足镜像关系，而是由有限的β值产生误差，这个误差随β值的增大而减小。 同时IR 又与VBE(on) 有关，而β值和VBE(on) 又是温度敏感的参数，因而造成 IO 的热稳定性下降。才能忽略温度以及β离散性的影响。 在高精度电流源中还必须考虑基区宽度调制效应的影响，当计入基区宽度调制效应时：当时，已知VCCiC2= IOIRRiC1T1T2gmvbererberce2R 可见计入基区调制效应后，进一步降低了IO 的精度和热稳定性。通常若满足则可忽略基区调制效应的影响。（2）、恒流特性：为了保持恒流特性，应该增大 RO 。根据电路得：VCCiC2= IOIRRT3iE3iC1iB3T2T1iB2iB12、减小β值影响的镜像电流源电路如图所示 与前面介绍的电流源不同的是，用T3 管代替 T1 管的集电极与基极的短路线。 此电路是利用T3 管的电流放大作用，以减小 iB1、iB2 对IR 的分流，使 iC1 更接近 IR ，从而有效的减小了IR 转换为iC2 过程中由于有限的β值引入的误差。VCCiC2= IOIRRT3iE3iC1iB3T2T1iB2iB1根据电路有因为若则故注意：此时电路中的 iE3 不能过大，否则会引起 iB1、iB2 过大，导致饱和失真。所以VCCiC2= IOIRRT3iE3iC1iB3T2T1iB2iB1RE3 在实际的电路中，为了避免T3 管因工作电流过小，而引起β值的减小，并且又不能增大iB3 ，一般都在T3 管的发射极上接一个适当的电阻RE ，则 iE3 的电流为：使 iE3 适当的增大。VCCiC2= IOIRR（1）、改变两管的发射结面积，前面介绍过时的情况。iC1T1T2iE1iE2R1R23、比例式镜像电流源 在实际应用中，经常需要 IO 与 IR 成特定比例关系的镜像电流源电路。 实现这种比例关系的电路可以从两方面着手：（2）、在两管的发射极上串接不同阻值的电阻。如图所示VCCiC2= IOIRRiC1T1T2iE1iE2R1R2根据电路有设并忽略基调效应。则有因为（根据PN结的伏安特性）故VCCiC2= IOIRRiC1T1T2iE1iE2R1R2当β值足够大时，所以若 iC1 对 IO