半导体复习1.pptx

2010级半导体物理总结第l章 半导体(晶体)中的电子状态问题的提出:半导体独特的物理性质半导体中电子的状态及其运动特点二者之间关系与结构的关系本章介绍重点 半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律了解：1.主要半导体单晶材料及结构了解：2.单电子近似 能带论　重点：3.空穴、有效质量的引入熟悉：4.几种重要半导体材料的能带结构 　了解： 半导体的晶格结构和结合性质 金刚石型结构 同IV族元素半导体相比有一个重要区别，这就是极性半导体概念提出. 极性半导体-----共价键化合物晶体中，其结合具有不同程度的离子性，称这类半导体为极性半导体。 电负性 了解：纤锌矿型结构 纤锌矿型结构-----以正四面体结构为基础构成的，但是它具有六方对称性．非立方对称性.两种面的物化学性质有不同——电偶极层. 清楚：有效质量导出 半导体中E(k)与k的关系 抛物线关系，决定了起作用的是能带底部或能带顶部附近的电子。 能带底部或顶部附近(也即能带极值附近)的E(k)与k的关系。 清楚： 半导体中电子的平均速度V ＝（1/h）dE/dk 了解： 外电场作用下半导体中电子的运动规律 π/a-π/a重点：有效质量的意义解释：了解：本征半导体 清楚： 回旋共振实验 实验原理及方法了解：导带底和价带顶附近的能带结构 k空间等能面 回旋共振实验 硅和锗的导带结构 所谓能带结构---E（k）～k关系 由E(k)-E(0)=h2k2/(2mn*)描述 硅和锗的价带结构 III-V族化合物半导体的能带结构 了解：混合晶体的能带结构 III-V族化合物之间,连续固熔体.构成混合晶体，能带结构随合金成分变化而连续变化(可调).禁带宽度不同，晶格常数不同，能带结构不同三元化合物、四元化合物了解： II-VI族化合物半导体的能带结构闪锌矿型结构和纤锌矿结构半金属或零带隙材料混合晶体的能带结构了解：宽禁带半导体材料　（2005研）有一种用于制作特殊器件的半导体材料具备下列特点：近红外和可见光吸收；高的空穴迁移率；负的微分电导；长的过剩载流子寿命；画出该材料具有的能带结构简图，并说明理由。第2章 半导体中杂质和缺陷能级 晶格中的原子周期性排列被破坏　　半导体中的杂质和缺陷起什么样作用？为什么会起这样的作用？　　在禁带中引入允许电子具有的能量状态(即能级) 硅锗晶体中的杂质能级 术语： 施主杂质、施主能级n型半导体 术语：受主杂质、受主能级p型半导体 浅能级 了解：浅能级杂质电离能的简单计算思路 清楚：杂质的补偿作用 经过补偿之后，半导体中的净杂质浓度称为有效杂质浓度。 当ND ＞ NA时，则 ND –NA为有效施主浓度 当NA ND时，则NA – ND为有效受主浓度 杂质的高度补偿？ 了解：半导体中深能级杂质 复合中心 了解：III—V族化物中的杂质能级 简释：等电子陷阱 简释：等电子杂质效应 IIIIIIIVVVIVIILiBeBCNOFNaMgAlSiPSClCuZnGaGeAsSeBrAgCdInSnSbTeIAuHgTlPbBiPoAt三重受主双重受主单重受主基体原子等电子陷阱单重施主双重施主三重施主元素半导体中的替位受主和施主 　简释：杂质的双性行为： 硅在砷化镓中既能取代镓而表现为施主杂质，又能取代砷而表现为受主杂质了解：缺陷、位错能级总结：重点硅锗中替位杂质（III，V）施主，受主概念引入（主要体现在禁带中的能级）施主杂质，施主能级，受主杂质，受主能级？什么是杂质的补偿作用？深能级？二元化合物中的杂质情况---等电子，双性由元素表分析简单（电活性），但实际复杂缺陷、位错了解：施、受主情况的简单解释，反结构缺陷位错形变致禁带的变化，施、受主情况第3章 半导体中载流子的统计分布本章节解决:1.热平衡载流子浓度;2.热平衡载流子浓度随温度的变化 费米能级EF和载流子的统计分布 处于热平衡状态的系统有统一化学势！处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级！ 标志----费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上是空 费米能级标志了电子填充能级的水平清楚：导出导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度思路 重要结论： 电子和空穴的浓度乘积和费米能级无关。 半导体材料定，乘积n0p0只决定于温度T，与所含杂质无关。 在一定温度T下，半导体材料不同，禁带宽度Eg不同，乘积n0p0也将不同。 普遍适用本征半导体和杂质半导体（热平衡状态、非简并）。载流子浓度的乘积 本征半导体的载流子浓度 n0=p0n0p0=n2i 说明:在一定温度下，任何非简并半导体的热平衡载流子浓度的乘积n0p0等于该温度时的本征载流子浓度ni的平方，与所含杂质无关。 不仅适用于本征半导体材料，而且也适用于非简并的杂质半导体材料。Eg=Eg(0)+βT，β=dEg/dT提出实验重点： 杂质半导