横截面结构示意图.pptxVIP

(2)电压放大型要求：运算放大器的漏电流比光电流小得多，具有很高的输入阻抗。当负载电阻RL取1M?以上时，工作在光电池状态下的光电二极管处于接近开路状态，可以得到与开路电压成比例的输出信号，即弱光短路电流检测—光电池即取出信号与输入光通量成正比(教材公式有错）。电流放大器因输入阻抗低而响应速度较高，并且放大器噪声较低，所以信噪比提高。这些优点使其广泛应用于弱光信号的检测中。LED发光原理工作原理：当PN结加上正向电压时，结区势垒降低，P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴大得多，所以出现大量电子向P区扩散，这些电子与P区价带上的空穴复合发光。即电注入载流子扩散复合发光。制作发光二极管的材料：直接跃迁材料：GaAs、GaN和ZnSe；间接跃迁材料：GaP，GaAs，宽禁带3Li4Be?5B6C7N8O11Na12Mg?13Al14Si15P16S19K20Ca30Zn31Ga32Ge33As34SeI II IIb III IV V VI 37Rb38Sr48Cd49In50Sn51Sb52Te55Cs56Ba80Hg81Tl82Pb83Bi84Po半导体光电材料 IV: Photo-detectorIII-V II-VI: LED/LD Photo-detectorLED橫截面結構示意圖2Window layer的能帶間隙必須比活性區的能帶間隙高，以避免吸光GaP Windowpi3ActivenDBR4GaAs substratep, n - cladding 的主要功能為侷限載子(電子與電洞)1DBR 的功能在於反射往下行進的光線人眼對光之敏感度頻譜Human eyes are sensitive to green light (~555 nm), and hence the development of green (or yellowish green) AlGaInP LED is desirable.InxGa1-xN LED的發光範圍Eg ? x · Eg,InN + (1-x) · Eg,GaN – b · x · (1-x)b ? Bowing ParameterEg,InN = 0.77 eV, Eg,GaN = 3.42 eV, b = 1.43 eVReference: Wu et al., Appl. Phys. Lett. 80, 4741, 2002.III-N is very efficient between 250 nm and 570 nm. Nichia公司在1997年發表的InGaN半導體雷射ELOGSubstrate(Epitaxially Laterally Overgrown GaNSubstrate)白光LED三种发光原理 GaN芯片LED+YAG： 波长的蓝光LED涂上一层YAG荧光物质，利用InGaN蓝光LED (460nm)照射此YAG荧光粉产生555nm黄光，再利用透镜原理将黄光与蓝光混合，得出白光。目前白光LED技术仍以日亚化学领先，拥有众多专利权。日本住友电工亦开发出以ZnSe（锌，硒）为材料的白光LED，不过发光效率较差。 p-Electrodep-GaNp-AlxGa1-xNInyGa1-yNn-Electroden-AlzGa1-zNn-GaNGaN Buffer LayerSapphire SubstrateInGaN LED的結構正負電極都在基板的上方!!AlGaAs(AlxGa1-x)0.5In0.5PInGaN300400500600700Dominant Wavelength , ?D ( nm )可見光區的光電半導體材料LED的优势●寿命长,理论上为10萬小時，一般大於5萬小時。（是荧光灯的10倍）●发热量低，耗电量小,白炽灯的1/8,荧光灯的1/3）●体积小,重量輕,可封裝成各种类型●堅固耐用,不怕震動。环氧树脂封装，防水，耐恶劣环境使用●多色显示,利用RGB可实现七彩色显示。●工作溫度穩定性好。●响应时间快,一般為毫微秒(ns)級。●冷光，不是熱光源。●電壓低,可以用太陽能電池作電源，2.光电池用作检测元件任务：用光电池设计一个光功率计？对光电池而言，Rl近似等于0。图中，光电池用作检测元件使用时的电路如右图所示。此电路可实现光电池的线性：Vo=－2RfIφ＝－2RfSφ。用场效应管作为前级放大器的阻抗变换器场效应管具有很高的输入阻抗，光电流是通过反馈电阻Rf形成压降的。电路的输出电压为：逻辑辨向电路运动方向的信号特征：正转：A波形超前于B波形；只有当A为高电平之后，才发生B波形的正向跳变。反转：具有类似的规律。设A、B：两信号高电平。a＝dA／dt；b＝dB／dt表示微分脉冲。正向计数条件：A.b反向计数条件：B.a金