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贵州大学本科毕业论文(设计) 第 PAGE 49页
本科毕业论文(设计)
题目:IGBT的仿真设计
学 院: 理 学 院
专 业: 电子科学与技术
班 级: 2007级1班
学 号: 070712110075
学生姓名:
指导教师:
2011年 6月 1日
目录
TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc295302780 摘要 PAGEREF _Toc295302780 \h III
HYPERLINK \l _Toc295302781 第一章 绪论 PAGEREF _Toc295302781 \h 1
HYPERLINK \l _Toc295302782 1.1功率半导体器件的发展 [1] PAGEREF _Toc295302782 \h 1
HYPERLINK \l _Toc295302783 1.2 IGBT的诞生和发展 PAGEREF _Toc295302783 \h 2
HYPERLINK \l _Toc295302784 1.3 IGBT的应用 PAGEREF _Toc295302784 \h 2
HYPERLINK \l _Toc295302785 第二章 IGBT的结构、工作特性和主要参数 PAGEREF _Toc295302785 \h 3
HYPERLINK \l _Toc295302786 2.1 IGBT的结构 PAGEREF _Toc295302786 \h 3
HYPERLINK \l _Toc295302787 2.2工作原理 PAGEREF _Toc295302787 \h 4
HYPERLINK \l _Toc295302788 2.3 IGBT的特性 PAGEREF _Toc295302788 \h 5
HYPERLINK \l _Toc295302789 2.3.1 IGBT的静态特性 PAGEREF _Toc295302789 \h 5
HYPERLINK \l _Toc295302790 2.3.2 IGBT动态特性 PAGEREF _Toc295302790 \h 7
HYPERLINK \l _Toc295302791 2.4 IGBT的设计理论 PAGEREF _Toc295302791 \h 8
HYPERLINK \l _Toc295302792 2.4.1 IGBT的结构设计理论 PAGEREF _Toc295302792 \h 8
HYPERLINK \l _Toc295302793 2.4.2 IGBT的闩锁效应 PAGEREF _Toc295302793 \h 9
HYPERLINK \l _Toc295302794 2.4.3 器件设计的主要性能影响因素 PAGEREF _Toc295302794 \h 9
HYPERLINK \l _Toc295302795 第三章 IGBT的设计 PAGEREF _Toc295302795 \h 12
HYPERLINK \l _Toc295302796 3.1外延层的计算 PAGEREF _Toc295302796 \h 12
HYPERLINK \l _Toc295302797 3.1.1 IGBT的击穿机理 PAGEREF _Toc295302797 \h 12
HYPERLINK \l _Toc295302798 3.2 栅氧化层的计算 PAGEREF _Toc295302798 \h 14
HYPERLINK \l _Toc295302799 3.3 P阱的设计 PAGEREF _Toc295302799 \h 14
HYPERLINK \l _Toc295302800 3.4阴极N阱(NSD)的设计 PAGEREF _Toc295302800 \h 15
HYPERLINK \l _Toc295302801 3.5饱和电流的计算[6] PAGEREF _Toc295302801 \h 15
HYPERLINK \l _Toc295302802 第四章IGBT的工艺仿真 PAGEREF _Toc295302802 \h 16
HYPERLINK \l _Toc295302803 4.1工艺参数 PAGEREF _Toc295302803 \h 16
HYPE
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