石墨烯电极与OLED器件的开发--毕业论文设计.docxVIP

南京邮电大学 毕 业 论 文 题 目 石墨烯电极与OLED器件的开发 专 业 材料物理 学生姓名 班级学号 指导教师 指导单位 材料科学与工程学院 日期： 2013年 3月15日 至 2013年 6月18日 摘 要 透明导电薄膜是OLED器件的重要组成部分，传统透明电极ITO（氧化铟锡）由于铟金属的价格上涨以及环境污染等原因，亟需新的材料代替。石墨烯透明电极不仅具有优良的导电、透光性能，而且稳定性好，可弯曲，能实现柔性显示。目前制备大面积石墨烯透明电极的主流方法是化学气相沉积法（CVD法）。基于CVD法对基底要求较高，成本大，薄膜转移困难等原因，本文将对另一种方法—LB膜法—进行探索。使用LB膜拉膜机，将 GO (氧化石墨) 片的胶体分散系缓慢滴在水面上，在水面散开，然后用石英玻璃提拉出GO薄膜，最后进行还原。可得到薄层电阻约500Ω∕□，透射率约90%的透明电极。 关键词：OLED；透明电极；石墨烯；LB膜；氧化石墨GO ABSTRACT Transparent conductive films are the important part of the OLED devices. The conventional transparent electrode ITO(indium tin oxide) is in dire need of succedaneum of new materials due to the increase of price and the problems of environment. Graphene films not only has good properties of conductivity and transparency, but also good stability, can be bent and realize flexible displays. The mainstream approach at present is the chemical vapor deposition(CVD) method. Based on the reasons that the CVD method puts high requirements on substrate, costs much, and it is difficult to transfer the films, the article will put research on another method – LB films method. A LB films machine is used. colloidal dispersion of GO(grapheme oxide) sheet is slowly dripped on the surface of the water, diffuse. The substrate of HYPERLINK app:ds:silica silica HYPERLINK app:ds:glass glass pulls up the GO films and be reduced at last. A transparent electrode with sheet resistance of ~ 500 Ω/sq and transparency of 90% is obtained. Key words: OLED; Transparent electrode; Graphene; LB films; GO(graphite oxide) 目 录 第一章 石墨烯与OLED1 1.1石墨烯简介1 1.2石墨烯的性质1 1.2.1电学性质1 1.2.2光学性质3 1.2.3力学性质4 1.2.4热学性质5 1.3石墨烯的制备方法5 1.3.1微机械剥离法5 1.3.2化学气相沉积法（CVD）5 1.3.3氧化石墨还原法5 1.3.4外延生长法6 1.4石墨烯透明电极的制备方法7 1.4.1真空抽滤法7 1.4.2旋转涂覆法8 1.4.3喷射涂覆法9 1.4.4化学气相沉积法（CVD）9 1.4.5 Langmuir-Blodgett法10 1.5石墨烯的表征13 1.5.1红外光谱技术13 1.5.2紫外光谱技术15 1.5.3光学显微技术16 1.5.4扫描电子显微镜技术（SEM）16 1.5.5扫描探针显微镜（SPM）16 1.5.5透射电子显微镜技术（TEM）18 第二章 实验部分19 2.1实验选题背景、目的与意义19 2.2氧化石墨（G0）的制备19 2.2.1 GO的制备方法19 2