半导体光电子学第二章第四章课件.ppt

第二章 异 质 结;前言：半导体同质结 ;突变结：在交界面处，杂质浓度由NA（p型）突变为ND（n型），具有这种杂质分布的p-n 结称为突变结。 ;;2.1 异质结及其能带图 ;;电子亲和势χ：一个电子从导带底转移到真空 能级所需的能量。 ;作能带图的步骤;;;eVD=φ1-φ2=F1-F2=e（VDp+VDN） ;;上面讲的是平衡结（无外界作用）的情况，当在结两边加上正向电压Va后，它在结两边空间电荷区上的压降分别为V1和V2，这时的势垒高度就由原来的eVD降低到e（VD-Va）=e[（VDp-V1）+（VDN-V2）]，只要用（VD-Va）、（VDp-V1）、（VDN-V2）分别代替VD、VDp、VDN，上面讲的公式仍然成立。 ;异质结的电流-电压特性 ;;;二、突变同型异质结 ;;2.2 异质结在半导体光电子学器件中的作用 ;1. pN异型异质结处在正向电压时，异质结势垒高度降低，N区的电子可以越过势垒和隧穿势垒而注入窄带隙p区，这种异质结有助于载流子从宽带隙区向窄带隙区的注入，同时该异质结在价带上的势垒也阻碍着空穴由p区向N区的注入。 2.同型异质结pP有一个较高的势垒以阻挡注入p区的电子漏出。 3.由于窄带隙半导体的折射率比宽带隙高，因此有源区两边的同型和异型异质结都能产生光波导效应，从而限制有源区中的光子从该区向宽带隙限制层逸出而损失掉。n1n2n3. ;4.在实际激光器的结构中，需要生长一层与前一层掺杂类型相同但杂质浓度很高（1020/cm3）的盖帽层（或顶层），这种同型异质结可用来减少与相继的金属电极层之间的接触电阻，实现良好的欧姆接触。 ;二、异质结在发光二极管（LED）中的作用 ;三、异质结在光电二极管探测器中的应用;光子能量;光子能量;作业: 教材73页第2、3题 另：1、根据泊松方程推导教材中的（2.1-5）， （2.1-6）， （2.1-7），根据结电容的定义推导 （2.1-9）式。 2、什么是异质结？异质结在半导体激光器中有哪些典型作用？ 3、异质结在发光二极管（LED）中有什么作用？ 4、在光电二极管探测器中，是如何利用异质结的窗口效应来提高其光谱响应范围的？ 5、异性异质结的性质是由 决定的， 而同性异质结的性质则是由 决定的。 ;第三节 异质结中的晶格匹配 ;;;复合中心：能够促进复合过程的杂质和缺陷。 ; 异质结界面上由悬挂键引起的界面态密度与半导体结构和晶面有关，不同晶面上界面态密度不同，在具有面心立方结构的金刚石和闪锌矿晶体中（100）（110）（111）晶面上生长的异质结中所包含悬挂键或界面态密度分别为 ;; 由于界面态的存在会对从宽带隙向窄带隙半导体的载流子注入与复合产生影响，使非辐射复合速率增加，从而使内量子效率降低。 ;;; 双异质结激光器中若两个异质结之间的距离为d，当体内复合与界面态复合并存时，则注入载流子的有效复合寿命可表示为 ;实际半导体光电子器件的异质结都是在某一衬底材料上外延生长所形成的，外延层的质量取决于衬底材料本身结晶的完美性，外延层与衬底之间的晶格匹配、外延层的厚度以及合适的生长工艺等多种因素。（弗伽定律）;临界厚度 ; 一般认为，晶格不匹配的异质结在性能上是不稳定的，但随着MBE（Molecular Beam Epitaxy取向附生）、MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition金属有机化学气相沉积）等外延技术的发展，可以生长出原子级薄层，只要外延层小于某一临界厚度（几十nm），则两种材料的晶格失配可由弹性应变的形式来弥补，而不产生影响器件性能的失配位错，利用这种原子层外延技术可以生长所谓应变异质结，有可能在Si上生长GeSi或GaAs外延层，这样将在光电子集成（OEIC-optoelectronic integrated circuit）方面获得广泛的应用。 ? ;作业: 教材73页第5题 另： 1、在蓝宝石衬底上生长氮化镓（GaN）产生蓝色的LED和LD已经分别在白光照明和大容量存储中获得应用，然而，这些异构异质外延生长都 来过渡晶格常数大的差异来缓减晶格适配的影响。 2、什么是悬挂键？悬挂键的存在对半导体激光器有什么危害？ 3、通常来说，为什么在（111）面上生长异质结是比较理想的？ 4、以图2.3-1所示的nP结为例说明在实际的异质结中可能存在的几种复合过程。 5、InGaAsP外延层和InP衬底之间可以实现理想的晶格匹配，为什么在超出一定厚度后仍会出现位错？这一厚度被称为？ ;2.4 对激光器异质结材