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第十一章 小结 §11-1 概述[1] 混频的作用和原理。 §11-2 晶体管混频[2] 混频电路分析 §11-3 场效应管混频[3] §11-4 集成混频电路[2] 电路分析 §11-5 组合频率干扰及非线性失真[1] 组合频率干扰、寄生频道干扰和 交叉调制失真。 §11-6 零中频频谱变换[0] END (2)变频电路的主要技术指标(续) 三阶互调截点:三阶互调产生的分量与有用的中频相等时对应的输入信号功率记为IIP3,输出功率OIP3。 混频器的1dB压缩点与三阶互调截点 混频器的三阶交互调制失真分量位于中频 隔离度:指混频器各端口之间的隔离。定义为本端口功率与其窜通到另一端口的功率之比,用dB表示。 接收机中本振端口向输入信号端口的窜通危害最大。本振信号会通过输入信号回路加到天线上,产生本振功率的反向辐射,严重干扰邻近接收机。 变频失真:加在变频电路的输入端除有用信号外,还同时存在许多干扰信号,由于非线性,变频电路输出电流中有众多组合频率分量,除了有用的中频外,还有某些组合频率分量的频率十分接近中频,输出中频滤波器无法滤除它们。这些寄生分量叠加在有用中频上,引起失真,该失真通称为变频失真。 (2)变频电路的主要技术指标(续) 三、 混频器的分析方法 1. vS(ωo)、vL(ωL)幅度均较小 ?? 采用幂级数法(p201) ???? v = V0m+V1mcosω1t +V2mcosω2t ?代入幂级数展开式,取前四项,得: 含有: ?????????????????????????????????????????????????????? 2. vS(ω0)小、vL(ωL)大 采用时变参量法,(p203 6-31式)i = (Io+ I1cosωLt + I2cos2ωLt +...)+ (go+ g1mcosωLt +g2mcos2ωLt+...)V smcosωSt乘积项:g1cosωLtVsmcosωSt ??含有: 3.乘法混频器(p190) 令:v1=Vcm(1+mcosΩt)cosωot ? ????? v2= VLm cosωLt?? (本地参考信号)?? ???? (ωo ≈ωL ) 则:v3= Kv1v2 ? ???????? = KVcmVLm(1+mcosΩt)cosωot cosωLt? ? ???????? = (K/2)Vcm VLm(1+mcosΩt)cos(ωo+ωL)t? ? ????????? + (K/2)Vcm VLm(1+mcosΩt)cos(ωo-ωL)t? ?? 经带通滤波器(fo’?=fo?+ fL?, B =2F) ??? v上混频=(K/2)Vcm VLm (1+mcosΩt)cos(ωo+ωL)t ?? 经带通滤波器(fo’?= fo?- fL , B =2F) ??? v下混频=(K/2)Vcm VLm (1+mcosΩt)cos(ωo-ωL)t ?? 三、混频器主要参数(图11-3 p343) 工作状态选择(图11-4 p343) (图11-5 p344) 例: ? 小于10MHz工作时,为使Apc大、Nf小, ????? 综合选择:Ie= 0.2~1mA?,? VL= 50~250mV 3.双频手机的混频电路? ? (图11-7 p345) G-2007 j11 j12 q fGSM=900MHz , fDCS=18000MHz f i=215MHz ② 二极管平衡混频器(续1) 若两个二极管特性相同并可用N阶幂级数表示,则它们的电流可分别表示为: 输入信号电压: 本振电压: 则二极管 两端的 电压分别为: 电路分析: 上图 ② 二极管平衡混频器(续2) 则在二极管平衡混频器的输出电流 中: 没有本振信号频率的基波和各次谐波。 没有输入信号频率的偶次谐波分量,也没有含信号频率偶 次谐波成分的组合频率分量。 含有输入信号频率的基波,奇次谐波和这些信号与本振频 率各次谐波之间的组合频率分量。 若在负载处接入选频电路,仅使频率为 的信号通过,即可完成混频的作用。 §11-3 场效应管混频[3] 双极性晶体管: 含有许多高次方项,易产生组合频率干扰和失真。? 场效应管的平方律特性: (图11-8 p346) 可避免出现高次项,且v2项的系数为 常数,可减少组合频率干扰和失真。 一、混频电路 (图11-9 p348) (a)结型?? (b)双栅MOS型 二、场效应管混频特点 ? 1. iD中无高次项,组
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