电子工程物理基础v1.14-2 1.pptVIP

积累率 复合率 其它产生率 *电子积累率： 电子的扩散和漂移流密度 ------连续性方程 讨论（1）光照恒定 （2）材料掺杂均匀 （3）外加电场均匀 （4）光照恒定，且被半导体均匀吸收 对于n型半导体： p型半导体： 应用举例 1 用光照射n型半导体，并被表面均匀吸收，且gp=0 。假定材料是均匀的，且无外场作用，试写出少数载流子满足的运动方程。 非平衡少数载流子的扩散方程 恒定光照下 ——稳态扩散方程 2 用恒定光照射n型半导体，并被表面均匀吸收,且gp=0。假定材料是均匀的，且外场均匀，试写出少数载流子满足的运动方程，并求解。 解 此时连续性方程变为 方程的通解为： 考虑到非平衡载流子是随x衰减的 又 其中 ——空穴的牵引长度 空穴在寿命时间内所漂移的距离 最后得： 其中 电场很强 电场很弱 结论：由表面注入的非平衡载流子深入样品的平均距离，在电场很强时为牵引长度，而电场很弱时为扩散长度。 3 在一块均匀的半导体材料中，用适当频率的光脉冲照射其局部区域，请分别写出没有外场和加外场时，非平衡载流子在光脉冲停止后的运动方程。 没有外场 0 x ?p t=0 t=t1 t=t2 有外场 0 x ?p t=0 t=t1 A t=t2 4 稳态下的表面复合 稳定光照射在一块均匀掺杂的n型半导体中均匀产生非平衡载流子，产生率为gp。如果在半导体一侧存在表面复合（如图所示），