第一章-纳米材料的物理学基础.ppt

材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 2、量子尺寸效应 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 量子尺寸效应： 粒子尺度降低到某一值时， 金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象 半导体微粒存在不连续的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道能级之间能隙变宽现象。 当能级间距δ大于热能kBT、磁能、静电能、光子能量或超导态的凝聚能时，必须要考虑量子尺寸效应，这会导致纳米颗粒的磁、光、声、热、电等与宏观特性有着显著的不同。 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 量子尺寸效应 当δkBT时，金属超微粒费米面附近电子能级之间的间隔就不容忽视, 纳米材料的电子能级是不连续的. δkBT N=nV 当T=1K时，d=14nm。Ag粒子d＜14nm时即出现离散，由导体变为绝缘体。 以纳米Ag颗粒为例，计算在T＝1K时出现量子尺寸效应的临界粒径 （已知：Ag的电子密度n＝6×1022/cm3）。 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 半导体CdS的吸收谱 吸收波长λmax向长波方向移动称为红移，向短波方向移动称为蓝移(或紫移)。 空带 满带 Eg λmax λ 蓝移 红移 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 吸收光谱的蓝移 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 量子尺寸效应主要影响 1. 导体向绝缘体的转变 2. 吸收光谱的蓝移 3. 纳米材料的磁化率（磁矩的大小和颗粒中电子是奇数还是偶数有关） 4. 纳米颗粒的发光现象 第一章 纳米材料的物理学基础 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 关于本章 纳米材料因独特的物理性质和广泛应用前景备受关注 进入纳米尺度，材料的电子结构将发生变化，继而导致纳米材料表现出与块体材料不同的、独特的物理性质、化学性质。如量子尺寸效应、量子限于效应等 了解纳米材料的电子能级分布是理解纳米材料的独特物性的基础 从最基础的原子结合出发，介绍晶体材料的能带形成及能带结构特征 讨论零维金属纳米颗粒的能级分裂和量子尺寸效应，最后介绍金属颗粒能级分布的久保理论 第一章 纳米材料的物理学基础 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 久保理论 5 原子的能级与晶体的能带 1 导体、半导体、绝缘体的能带 2 量子尺寸效应 4 电子能级的不连续性 3 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 图1-1氢分子能级分裂 图1-2 能级分裂和能带形成 1. 原子能级分裂与能带 晶体中电子能带的形成 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 原子的能级与晶体的能带 能带理论 能带：组成晶体的大量原子在某一能级上的电子本来都具有相同的能量，现在它们由于处于共有化状态而具有各自不尽相同的能量。因为它们在晶体中不仅仅受本身原子势场的作用，而且还受到周围其它原子势场的作用。这样，晶体中所有原子原来的每一个相同能级就会分裂而形成了有一定宽度的能带。 价带: 与价电子（最外层电子）能级相对应的能带称为价带Ev（Valence Band）。 导带: 价带以上能量最低的能带称为导带Ec（Conduction Band）。 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 导体、半导体、绝缘体的能带 图1-3 绝缘体、半导体、导体的能带 禁带: 导带底与价带顶之间的能量间隔称为禁带 Eg(Forbidden Band)。 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 两种载流子: 以硅晶体为例， Si原子有4个价电子，分别与相邻的4个原子形成共价键。由于共价键上的电子所受束缚力较小，当温度高于绝对零度或受光照时，价带中的电子吸收能量跃过禁带到达导带，而成为自由电子，并在价带中留下等量的空穴。自由电子和空穴可在外加电场作用下定向运动，形成电流。 这种能参与导电的自由电子和空穴统称为载流子。当温度高于绝对零度或受光照时，电子吸收能量摆脱共价键而形成电子－空穴对的过程，称为本征激发。 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 本征半导体： 结构完整、纯净的半导体称为本征半导体，又称I型半导体，例如，纯净的硅称为本征硅。 非本征半导体： 半导体中可掺入少量杂质形成杂质半导体，通常称它为非本征半导体。非本征半导体包括N型半导体和P型半导体。 材料学院 第一章 纳米材料的物理学基础 N型半导体 例如，四价硅(Si)组成的晶体中掺入五价原子磷(P)，就可以构成N型半导体。五价的磷用四个价电子与周围的硅原子组成共价键，尚多余一个电子。这个电子受到的束缚力比共价键上的电子要小得多，很容易被磷原子释放，跃迁成为自由电子。N型半导体将以自由电子导电为主，自由电子为多数载流子（简称多子），而空穴为少数载流子（简称少子）。 P型半导体 例如，四价硅晶体中掺入三价原子硼(B)，就可以构成P型半导体。硼原子的三个电子与周围硅原