ZnOGaN异质结发光二极管的研究进展-中国科技论文在线.PDFVIP

中国科技论文在线 ZnO/GaN 异质结发光二极管的研究进展 # 王颜彬，方铉，王登奎，房丹，王新伟，唐吉龙，王晓华，魏志鹏** （长春理工大学理学院，高功率半导体激光国家重点实验室，长春 130022） 5 摘要：ZnO 材料作为六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料，以其3.37 eV 的禁带宽度，60 meV 的室温激子束缚能而被广泛用于短波长的发光以及探测器件中。在第三代半导体材料 中，相比GaN 材料，ZnO 展现出较为突出的优点，如高光学增益，高辐射硬度，简便的制 备方法。但是ZnO 基光电器件仍存在p 型制备困难，高结晶质量ZnO 难以制备，高结晶质 10 量的p-GaN 是迄今为止与ZnO 晶格匹配度最高的材料，从而开展了关于ZnO/GaN 异质结的 大量科学研究。本文对ZnO/GaN 异质结发光方面的进展进行了总结，通过分析其载流子传 输的机制，对这些研究中存在的困难加以剖析。 关键词：氧化锌；