第1章半导体二极管三极管和场效应管.-精选版.pptVIP

IC / mA UCE /V 0 放 大 区 三极管输出特性上的三个工作区 IB= 0 μA 20μA 40 μA 截止区 饱和区 60 μA 80 μA 第1章 1.5 UCE小 IC小 * 共发射极接法放大电路 （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: VC VB VE 且IC=? IB 对于PNP型三极管应满足: VC VB VE 且IC=? IB RB EB EC RC IC UCE C E B IB UBE （一）放大状态 条 件 特 征 3、三极管在三个区的工作状态 IE * （二） 饱和状态 集电结、发射结均反向偏置，即UBE 0 （1） IB增加时，IC基本不变， 且IC ? UC / RC （2） UCE ? 0 晶体管C、E之间相当于短路 （三） 截止状态 即UCE UBE （1） IB=0、 IC ? 0 （2） UCE ? EC 晶体管C、E之间相当于开路 共发射极接法放大电路 条 件 特 征 （1）发射结正向偏置； （2）集电结正向偏置。 条件 特 征 RB EB EC RC IC UCE C E B IB UBE IE * 1.5.4 三极管的主要参数 1. 电流放大系数 (1) 直流电流放大系数 (2) 交流电流放大系数 ? = ? IC ? IB 2. 穿透电流 ICEO 3. 集电极最大允许电流 ICM 4. 集--射反相击穿电压 U(BR)CEO 5. 集电极最大允许耗散功率 PCM 极限参数 使用时不允许超过! 第1章 1.5 ? = IC IB * 60μA 0 20μA 1.5 2.3 在输出特性上求 ? , ? ? = IC IB = 1.5mA 40μA = 37.5 ? = IC IB = 2.3–1.5(mA) 60 –40(μA) = 40 设UCE=6V, IB由40μA加为60μA 。 第1章 1.5 IC / mA UCE /V IB =40μA 6 ? ?? * 重点： 1、三极管的三种工作状态 2、电流关系： IE=IB+IC IC=?IB 作业：1—5、 1—6、 1—9 1—4（选做） 注意：各点波形要对应画出， 否则按错误处理。 * 0 IB= 0 μA 20μA 40 μA 60 μA 80 μA 由三极管的极限参数确定安全工作区 安 全 工 作 区 过 损 耗 区 PCM曲线 第1章 1.5 IC / mA UCE /V ICEO ICM U(BR)CEO * SiO2 结构示意图 1.6.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 P型硅衬底 源极S 栅极G 漏极D 1.6 绝缘栅场效应管 衬底引线B N+ N+ D B S G 符号 1. 结构和符号 第1章 1.6 * SiO2 结构示意图 P型硅衬底 耗尽层 衬底引线B N+ N+ S G D UDS ID = 0 D与S之间是两个 PN结反向串联， 无论D与S之间加 什么极性的电压， 漏极电流均接近 于零。 2. 工作原理 (1) UGS =0 第1章 1.6 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 本征激发 复合 在常温下自由电子和空穴的形成 成对出现 成对消失 第1章 1.1 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 外电场方向 空穴导电的实质是共价键中的束缚电子依次填补空穴形成电流。故半导体中有电子和空穴两 种载流子。 空穴移动方向 电子移动方向 在外电场作用下， 电子和空穴均能 参与导电。 价电子填补空穴 第1章 1.1 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 1.1.2 P半导体和N型半导体 1 . N 型半导体 在硅或锗的晶体 中 掺入少量的 五价元 素,如磷, 则形成N型半导 体。 磷原子 +4 +5 多余价电子 自由电子 正离子 第1章 1.1 * N 型半导体结构示意图 少数载流子 多数载流子 正离子 在N型半导中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。 第1章 1.1 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 2. P型半导体 在硅或锗的晶体中 掺入少量的三价元 素,如硼,则形成P 型 半导体。 +4 +4 硼原子 填补