电力电子学陈坚第二章课件.pptxVIP

第二章 半导体电力开关器件2.1 电力二极管2.2 双极结型电力晶体管BJT2.3 晶闸管及其派生器件2.4 门极可关断晶闸管GTO2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT *2.7 MOS控制晶闸管MCT和集成门极换流晶闸管 IGCT (自学) 2.8 半导体电力开关模块和功率集成电路第2章 半导体电力开关器件电力开关器件家族树第2章 半导体电力开关器件电力开关器件发展史第2章 半导体电力开关器件第二章 半导体电力开关器件2.1 电力二极管2.2 双极结型电力晶体管BJT2.3 晶闸管及其派生器件2.4 门极可关断晶闸管GTO2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT *2.7 MOS控制晶闸管MCT和集成门极换流晶闸管 IGCT (自学)2.8 半导体电力开关模块和功率集成电路本章小结第2章 半导体电力开关器件电力二极管实物图第2章 半导体电力开关器件N型半导体P型半导体2.1.1 半导体PN结在4族元素本征半导体硅中掺入5族元素(砷、磷)。在4族元素本征半导体硅中掺入3族元素(硼、铝)。5个价电子中的4个与相邻的硅原子组成共价键后，还多余一个。3个价电子与相邻的硅原子组成共价键，因缺少一个价电子，在晶体中产生一个空穴。第2章 半导体电力开关器件半导体PN结的形成第2章 半导体电力开关器件阻挡层PN结势垒层半导体PN结扩散运动漂移运动扩散运动第2章 半导体电力开关器件漂移运动扩散运动半导体PN结和二极管单向导电性少子漂移运动产生反向电流PN结是单向导电的！第2章 半导体电力开关器件一般表达式：反向时的表达式：正向时的表达式：2.1.2 半导体二极管基本特性Is：反向饱和电流第2章 半导体电力开关器件PN结高频等效电路 当PN结处于正偏时 R为正向电阻，其值很小，结电容C很大； 当PN结处于反偏时 R为反向电阻，其值很大，结电容C很小。 第2章 半导体电力开关器件2.1.3 半导体电力二极管重要参数 半导体电力二极管的重要参数主要用来衡量二极管使用过程中：是否被过压击穿是否会过热烧毁开关特性第2章 半导体电力开关器件额定电流的定义额定电流IFR：其额定发热所允许的正弦半波电流 的平均值 。 当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：第2章 半导体电力开关器件最大允许全周期均方根正向电流的定义当二极管流过半波正弦电流的平均值为IFR时，与其发热等效的全周期均方根正向电流IFrms称为最大允许全周期均方根正向电流。当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：第2章 半导体电力开关器件二极管电流定额的含义如手册上某电力二极管的额定电流为100A，说明：允许通过平均值为100A的正弦半波电流；允许通过正弦半波电流的幅值为314A；允许通过任意波形的有效值为157A的电流；在以上所有情况下其功耗发热不超过允许值。由额定电流和最大允许全周期均方根正向电流的公式，得：第2章 半导体电力开关器件选择二极管电流定额的过程求出电路中二极管电流的有效值IFrms ；求二极管电流定额IFR，等于有效值IFrms 除以1.57；将选定的定额放大1.5到2倍以保证安全。第2章 半导体电力开关器件半导体电力二极管的开关特性开关过程，由导通状态转为阻断状态并不是立即完成，它要经历一个短时的过渡过程；此过程的长短、过渡过程的波形对不同性能的二极管有很大差异；理解开关过程对今后选用电力电子器件，理解电力电子电路的运行是很有帮助的，因此应对二极管的开关特性有较清晰的了解。状态：导通、阻断过程：开通、关断第2章 半导体电力开关器件半导体电力二极管的开关特性 二极管开通及反向恢复过程示意图第2章 半导体电力开关器件半导体电力二极管的开关特性二极管关断过程示意图第2章 半导体电力开关器件半导体电力二极管重要参数 有关半导体电力二极管使用特性和准则的几个重要参数是： 最大允许反向重复峰值电压 额定电流 最大允许的全周期均方根正向电流 最大允许非重复浪涌电流 最大允许的PN结结温和管壳温度 结－壳、壳－散热器热阻 反向恢复时间第2章 半导体电力开关器件半导体电力二极管重要参数二极管关断电压、电流波形第2章 半导体电力开关器件2.1.4 二极管的基本应用 整流续流第2章 半导体电力开关器件第二章 半导体电力开关器件2.1 电力二极管2.2 双极结型电力晶体管BJT2.3 晶闸管及其派生器件2.4 门极可关断晶闸管GTO2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT *2.7 MOS控制晶闸管MCT和集成门极换流晶闸管 IGCT (自学)2.8 半导体电力开关模块和功率集成电路本章小结第2章 半导体电力开关器件2.